Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики гетероструктур InS/InSe, полученных при длительном отжиге монокристаллов InSe n- и p-типа проводимости в парах серы. Встановлено, що при тривалій (120 ч) термообробці монокристалів InSe в парах сірки формується гетероструктура InS/InSe. До...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52030 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы / З.Д. Ковалюк, О.И. Кушнир, О.Н. Сидор, В.В. Нетяга // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 1. — С. 61-62. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO—p-InSe
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2015)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)
Створення гетероструктури n-InSe-графіт
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2016)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
за авторством: Пигур, О.Н., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Пигур, О.Н., та інші
Опубліковано: (2011)
Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния
за авторством: Жавжаров, Е.Л., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Жавжаров, Е.Л., та інші
Опубліковано: (2006)
Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров
за авторством: Сольский, И.М., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Сольский, И.М., та інші
Опубліковано: (2005)
Домішкова зона в опроміненому електронами n-InSe
за авторством: Мінтянський, І.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Мінтянський, І.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Физико-технические параметры монокристаллов для светозвуко-проводов акустооптических устройств
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Данилов, В.В.
Опубліковано: (2002)
Выращивание крупногабаритных монокристаллов вольфрамата кадмия с высокой оптической однородностью
за авторством: Сольский, И.М.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Сольский, И.М.
Опубліковано: (2005)
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2018)
Свойства металлических контактов на пленках TiO₂, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
за авторством: Брус, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Брус, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>
за авторством: Бахтінов, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Бахтінов, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаєва, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe
за авторством: Боледзюк, В.Б., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Боледзюк, В.Б., та інші
Опубліковано: (2014)
Вплив температури на оптичні властивості тонких плівок Cu₂ZnSnSe₄
за авторством: Майструк, Е.В., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Майструк, Е.В., та інші
Опубліковано: (2018)
Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
за авторством: Балицкий, А.А.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Балицкий, А.А.
Опубліковано: (2005)
Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Дослідження взаємодії літію з n-InSe: спектри імпедансу та рентгенівської дифракції
за авторством: Гаврилюк, С.В., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Гаврилюк, С.В., та інші
Опубліковано: (2014)
Електричні властивості шаруватих монокристалів InSe та Bi₂Te₃, інтеркальованих C₃H₈O₃
за авторством: Боледзюк, В.Б., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Боледзюк, В.Б., та інші
Опубліковано: (2015)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2007)
Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH₄N₂S>, InSe<FeSO₄> та InSe<CH₄N₂S<FeSO₄>>
за авторством: Іващишин, Ф.О., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Іващишин, Ф.О., та інші
Опубліковано: (2017)
Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)
Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)