Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2009
• Автори: Ковалюк, З.Д., Кушнир, О.И., Сидор, О.Н., Нетяга, В.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52030
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы / З.Д. Ковалюк, О.И. Кушнир, О.Н. Сидор, В.В. Нетяга // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 1. — С. 61-62. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики гетероструктур InS/InSe, полученных при длительном отжиге монокристаллов InSe n- и p-типа проводимости в парах серы. Встановлено, що при тривалій (120 ч) термообробці монокристалів InSe в парах сірки формується гетероструктура InS/InSe. До...