Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Schlagworte: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52060
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Арсенид-галлиевые p⁺–n–p⁺-структуры с обедняемой базовой областью / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 28-31. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения и электронных переключателей. У роботі експериментально показано, що механізм токопереносу через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру визначається інжекційно-тунельним і генераційно-рекомбінаційним механізмами. При модуляції частини бази, що містить дефекти, превалює інжекційно-тунельний струм, а при модуляції частини бази з меншою дефектністю визначальними є генераційно-рекомбінаційні струми. Такі структури представляють інтерес для створення на їх основі обмежувачів напруги і електронних перемикачів. It is displayed experimentally, that the current transport's mechanism through p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-structure is formed by injection-tunnel and generation-recombination mechanisms. Injection-tunnel current prevails at modulation of base s part which contains defects, and generationrecombination currents are determinative at modulation of base's part with lesser defectiveness. p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-structures are of interest for creating voltage suppressors and electronic switches on their base.