Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения и электронных переключателей. У роботі експериментально показано, що механізм...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52060 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Арсенид-галлиевые p⁺–n–p⁺-структуры с обедняемой базовой областью / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 28-31. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |