Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью

Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения и электронных переключателей. У роботі експериментально показано, що механізм...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2009
Main Authors: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Абдулхаев, О.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52060
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Арсенид-галлиевые p⁺–n–p⁺-структуры с обедняемой базовой областью / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 28-31. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862572214249848832
author Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Абдулхаев, О.А.
author_facet Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Абдулхаев, О.А.
citation_txt Арсенид-галлиевые p⁺–n–p⁺-структуры с обедняемой базовой областью / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 28-31. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения и электронных переключателей. У роботі експериментально показано, що механізм токопереносу через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру визначається інжекційно-тунельним і генераційно-рекомбінаційним механізмами. При модуляції частини бази, що містить дефекти, превалює інжекційно-тунельний струм, а при модуляції частини бази з меншою дефектністю визначальними є генераційно-рекомбінаційні струми. Такі структури представляють інтерес для створення на їх основі обмежувачів напруги і електронних перемикачів. It is displayed experimentally, that the current transport's mechanism through p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-structure is formed by injection-tunnel and generation-recombination mechanisms. Injection-tunnel current prevails at modulation of base s part which contains defects, and generationrecombination currents are determinative at modulation of base's part with lesser defectiveness. p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-structures are of interest for creating voltage suppressors and electronic switches on their base.
first_indexed 2025-11-26T04:20:14Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52060
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-11-26T04:20:14Z
publishDate 2009
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Абдулхаев, О.А.
2013-12-26T23:51:08Z
2013-12-26T23:51:08Z
2009
Арсенид-галлиевые p⁺–n–p⁺-структуры с обедняемой базовой областью / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 28-31. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52060
Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения и электронных переключателей.
У роботі експериментально показано, що механізм токопереносу через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру визначається інжекційно-тунельним і генераційно-рекомбінаційним механізмами. При модуляції частини бази, що містить дефекти, превалює інжекційно-тунельний струм, а при модуляції частини бази з меншою дефектністю визначальними є генераційно-рекомбінаційні струми. Такі структури представляють інтерес для створення на їх основі обмежувачів напруги і електронних перемикачів.
It is displayed experimentally, that the current transport's mechanism through p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-structure is formed by injection-tunnel and generation-recombination mechanisms. Injection-tunnel current prevails at modulation of base s part which contains defects, and generationrecombination currents are determinative at modulation of base's part with lesser defectiveness. p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-structures are of interest for creating voltage suppressors and electronic switches on their base.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
Арсенід-галлієві p⁺–n–p⁺-структури з базовою областю, що збіднюється
Gallium arsenide p⁺–n–p⁺-structures with impoverished base area
Article
published earlier
spellingShingle Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Абдулхаев, О.А.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
title_alt Арсенід-галлієві p⁺–n–p⁺-структури з базовою областю, що збіднюється
Gallium arsenide p⁺–n–p⁺-structures with impoverished base area
title_full Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
title_fullStr Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
title_full_unstemmed Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
title_short Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
title_sort арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52060
work_keys_str_mv AT karimovav arsenidgallievyepnpstrukturysobednâemoibazovoioblastʹû
AT edgorovadm arsenidgallievyepnpstrukturysobednâemoibazovoioblastʹû
AT abdulhaevoa arsenidgallievyepnpstrukturysobednâemoibazovoioblastʹû
AT karimovav arsenídgallíêvípnpstrukturizbazovoûoblastûŝozbídnûêtʹsâ
AT edgorovadm arsenídgallíêvípnpstrukturizbazovoûoblastûŝozbídnûêtʹsâ
AT abdulhaevoa arsenídgallíêvípnpstrukturizbazovoûoblastûŝozbídnûêtʹsâ
AT karimovav galliumarsenidepnpstructureswithimpoverishedbasearea
AT edgorovadm galliumarsenidepnpstructureswithimpoverishedbasearea
AT abdulhaevoa galliumarsenidepnpstructureswithimpoverishedbasearea