Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения и электронных переключателей. У роботі експериментально показано, що механізм...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52060 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Арсенид-галлиевые p⁺–n–p⁺-структуры с обедняемой базовой областью / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 28-31. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862572214249848832 |
|---|---|
| author | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. |
| author_facet | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. |
| citation_txt | Арсенид-галлиевые p⁺–n–p⁺-структуры с обедняемой базовой областью / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 28-31. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения и электронных переключателей.
У роботі експериментально показано, що механізм токопереносу через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру визначається інжекційно-тунельним і генераційно-рекомбінаційним механізмами. При модуляції частини бази, що містить дефекти, превалює інжекційно-тунельний струм, а при модуляції частини бази з меншою дефектністю визначальними є генераційно-рекомбінаційні струми. Такі структури представляють інтерес для створення на їх основі обмежувачів напруги і електронних перемикачів.
It is displayed experimentally, that the current transport's mechanism through p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-structure is formed by injection-tunnel and generation-recombination mechanisms. Injection-tunnel current prevails at modulation of base s part which contains defects, and generationrecombination currents are determinative at modulation of base's part with lesser defectiveness. p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-structures are of interest for creating voltage suppressors and electronic switches on their base.
|
| first_indexed | 2025-11-26T04:20:14Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52060 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T04:20:14Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. 2013-12-26T23:51:08Z 2013-12-26T23:51:08Z 2009 Арсенид-галлиевые p⁺–n–p⁺-структуры с обедняемой базовой областью / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 28-31. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52060 Показано, что механизм токопереноса через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру определяется инжекционно-туннельным и генерационно-рекомбинационным механизмами. Структуры представляют интерес для создания ограничителей напряжения и электронных переключателей. У роботі експериментально показано, що механізм токопереносу через p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-структуру визначається інжекційно-тунельним і генераційно-рекомбінаційним механізмами. При модуляції частини бази, що містить дефекти, превалює інжекційно-тунельний струм, а при модуляції частини бази з меншою дефектністю визначальними є генераційно-рекомбінаційні струми. Такі структури представляють інтерес для створення на їх основі обмежувачів напруги і електронних перемикачів. It is displayed experimentally, that the current transport's mechanism through p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-structure is formed by injection-tunnel and generation-recombination mechanisms. Injection-tunnel current prevails at modulation of base s part which contains defects, and generationrecombination currents are determinative at modulation of base's part with lesser defectiveness. p⁺GaAs-nGaAs-p⁺GaAs-structures are of interest for creating voltage suppressors and electronic switches on their base. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью Арсенід-галлієві p⁺–n–p⁺-структури з базовою областю, що збіднюється Gallium arsenide p⁺–n–p⁺-structures with impoverished base area Article published earlier |
| spellingShingle | Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| title_alt | Арсенід-галлієві p⁺–n–p⁺-структури з базовою областю, що збіднюється Gallium arsenide p⁺–n–p⁺-structures with impoverished base area |
| title_full | Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| title_fullStr | Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| title_full_unstemmed | Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| title_short | Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| title_sort | арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52060 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav arsenidgallievyepnpstrukturysobednâemoibazovoioblastʹû AT edgorovadm arsenidgallievyepnpstrukturysobednâemoibazovoioblastʹû AT abdulhaevoa arsenidgallievyepnpstrukturysobednâemoibazovoioblastʹû AT karimovav arsenídgallíêvípnpstrukturizbazovoûoblastûŝozbídnûêtʹsâ AT edgorovadm arsenídgallíêvípnpstrukturizbazovoûoblastûŝozbídnûêtʹsâ AT abdulhaevoa arsenídgallíêvípnpstrukturizbazovoûoblastûŝozbídnûêtʹsâ AT karimovav galliumarsenidepnpstructureswithimpoverishedbasearea AT edgorovadm galliumarsenidepnpstructureswithimpoverishedbasearea AT abdulhaevoa galliumarsenidepnpstructureswithimpoverishedbasearea |