Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов. Надтонкі функціональні шари МОН-транзисторів вимагають якісної ізоляції активних елементів. Запропоновано новий метод...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52062 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием / С.П. Новосядлый, В.М. Вивчарук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 35-39. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |