Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2009
• Hauptverfasser: Новосядлый, С.П., Вивчарук, В.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Schlagworte: Технологические процессы и оборудование
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52062
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием / С.П. Новосядлый, В.М. Вивчарук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 35-39. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов. Надтонкі функціональні шари МОН-транзисторів вимагають якісної ізоляції активних елементів. Запропоновано новий метод формування епітаксійних структур для технології «кремній-на-ізоляторі» на основі пористого кремнію. Це дозволить формувати три види транзисторів - біполярні, КМОН, ДМОН.· The superthin functional layers of MOS-transistors require qualitative isolation of active elements. The new method of formation of epitaksial structures for technology «silicon - on-isolator» is offered on the basis of porous silicon. It will allow to form three kinds of transistors - bipolar, SMOS, DMOS.