Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов. Надтонкі функціональні шари МОН-транзисторів вимагають якісної ізоляції активних елементів. Запропоновано новий метод...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52062 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием / С.П. Новосядлый, В.М. Вивчарук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 35-39. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52062 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Новосядлый, С.П. Вивчарук, В.М. 2013-12-26T23:58:36Z 2013-12-26T23:58:36Z 2009 Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием / С.П. Новосядлый, В.М. Вивчарук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 35-39. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52062 Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов. Надтонкі функціональні шари МОН-транзисторів вимагають якісної ізоляції активних елементів. Запропоновано новий метод формування епітаксійних структур для технології «кремній-на-ізоляторі» на основі пористого кремнію. Це дозволить формувати три види транзисторів - біполярні, КМОН, ДМОН.· The superthin functional layers of MOS-transistors require qualitative isolation of active elements. The new method of formation of epitaksial structures for technology «silicon - on-isolator» is offered on the basis of porous silicon. It will allow to form three kinds of transistors - bipolar, SMOS, DMOS. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием Формування МОН-транзисторів з ізоляцією активних елементів окисленим пористим кремнієм Formation of MOS-transistors with isolation of active elements by oxiden porous silicon Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| spellingShingle |
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием Новосядлый, С.П. Вивчарук, В.М. Технологические процессы и оборудование |
| title_short |
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| title_full |
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| title_fullStr |
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| title_full_unstemmed |
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| title_sort |
формирование моп-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| author |
Новосядлый, С.П. Вивчарук, В.М. |
| author_facet |
Новосядлый, С.П. Вивчарук, В.М. |
| topic |
Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| publishDate |
2009 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Формування МОН-транзисторів з ізоляцією активних елементів окисленим пористим кремнієм Formation of MOS-transistors with isolation of active elements by oxiden porous silicon |
| description |
Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов.
Надтонкі функціональні шари МОН-транзисторів вимагають якісної ізоляції активних елементів. Запропоновано новий метод формування епітаксійних структур для технології «кремній-на-ізоляторі» на основі пористого кремнію. Це дозволить формувати три види транзисторів - біполярні, КМОН, ДМОН.·
The superthin functional layers of MOS-transistors require qualitative isolation of active elements. The new method of formation of epitaksial structures for technology «silicon - on-isolator» is offered on the basis of porous silicon. It will allow to form three kinds of transistors - bipolar, SMOS, DMOS.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52062 |
| citation_txt |
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием / С.П. Новосядлый, В.М. Вивчарук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 35-39. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT novosâdlyisp formirovaniemoptranzistorovsizolâcieiaktivnyhélementovokislennymporistymkremniem AT vivčarukvm formirovaniemoptranzistorovsizolâcieiaktivnyhélementovokislennymporistymkremniem AT novosâdlyisp formuvannâmontranzistorívzízolâcíêûaktivnihelementívokislenimporistimkremníêm AT vivčarukvm formuvannâmontranzistorívzízolâcíêûaktivnihelementívokislenimporistimkremníêm AT novosâdlyisp formationofmostransistorswithisolationofactiveelementsbyoxidenporoussilicon AT vivčarukvm formationofmostransistorswithisolationofactiveelementsbyoxidenporoussilicon |
| first_indexed |
2025-12-07T13:35:32Z |
| last_indexed |
2025-12-07T13:35:32Z |
| _version_ |
1850856736005554176 |