Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов. Надтонкі функціональні шари МОН-транзисторів вимагають якісної ізоляції активних елементів. Запропоновано новий метод...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52062 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием / С.П. Новосядлый, В.М. Вивчарук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 35-39. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862625744729931776 |
|---|---|
| author | Новосядлый, С.П. Вивчарук, В.М. |
| author_facet | Новосядлый, С.П. Вивчарук, В.М. |
| citation_txt | Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием / С.П. Новосядлый, В.М. Вивчарук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 35-39. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов.
Надтонкі функціональні шари МОН-транзисторів вимагають якісної ізоляції активних елементів. Запропоновано новий метод формування епітаксійних структур для технології «кремній-на-ізоляторі» на основі пористого кремнію. Це дозволить формувати три види транзисторів - біполярні, КМОН, ДМОН.·
The superthin functional layers of MOS-transistors require qualitative isolation of active elements. The new method of formation of epitaksial structures for technology «silicon - on-isolator» is offered on the basis of porous silicon. It will allow to form three kinds of transistors - bipolar, SMOS, DMOS.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:35:32Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52062 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:35:32Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Новосядлый, С.П. Вивчарук, В.М. 2013-12-26T23:58:36Z 2013-12-26T23:58:36Z 2009 Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием / С.П. Новосядлый, В.М. Вивчарук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 35-39. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52062 Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов. Надтонкі функціональні шари МОН-транзисторів вимагають якісної ізоляції активних елементів. Запропоновано новий метод формування епітаксійних структур для технології «кремній-на-ізоляторі» на основі пористого кремнію. Це дозволить формувати три види транзисторів - біполярні, КМОН, ДМОН.· The superthin functional layers of MOS-transistors require qualitative isolation of active elements. The new method of formation of epitaksial structures for technology «silicon - on-isolator» is offered on the basis of porous silicon. It will allow to form three kinds of transistors - bipolar, SMOS, DMOS. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием Формування МОН-транзисторів з ізоляцією активних елементів окисленим пористим кремнієм Formation of MOS-transistors with isolation of active elements by oxiden porous silicon Article published earlier |
| spellingShingle | Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием Новосядлый, С.П. Вивчарук, В.М. Технологические процессы и оборудование |
| title | Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| title_alt | Формування МОН-транзисторів з ізоляцією активних елементів окисленим пористим кремнієм Formation of MOS-transistors with isolation of active elements by oxiden porous silicon |
| title_full | Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| title_fullStr | Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| title_full_unstemmed | Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| title_short | Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| title_sort | формирование моп-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52062 |
| work_keys_str_mv | AT novosâdlyisp formirovaniemoptranzistorovsizolâcieiaktivnyhélementovokislennymporistymkremniem AT vivčarukvm formirovaniemoptranzistorovsizolâcieiaktivnyhélementovokislennymporistymkremniem AT novosâdlyisp formuvannâmontranzistorívzízolâcíêûaktivnihelementívokislenimporistimkremníêm AT vivčarukvm formuvannâmontranzistorívzízolâcíêûaktivnihelementívokislenimporistimkremníêm AT novosâdlyisp formationofmostransistorswithisolationofactiveelementsbyoxidenporoussilicon AT vivčarukvm formationofmostransistorswithisolationofactiveelementsbyoxidenporoussilicon |