Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов. Надтонкі функціональні шари МОН-транзисторів вимагають якісної ізоляції активних елементів. Запропоновано новий метод...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | Новосядлый, С.П., Вивчарук, В.М. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52062 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием / С.П. Новосядлый, В.М. Вивчарук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 35-39. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
von: Баранов, В.В.
Veröffentlicht: (2005)
von: Баранов, В.В.
Veröffentlicht: (2005)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Турцевич, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Турцевич, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Влияние легирующих добавок на теплостойкость и теплопередачу никелевых покрытий корпусов ИС
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Формирование нанопленок Cu, Ag, Au под воздействием атомов водорода
von: Жавжаров, Е.Л., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Жавжаров, Е.Л., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
von: Лесюк, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Лесюк, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
von: Павлович, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Павлович, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Измерительно-вычислительный комплекс СМ-100 для характеризации жидкокристаллических дисплеев
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники
von: Одиноков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Одиноков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Технологии изготовления фотонных кристаллов
von: Березянский, Б.М.
Veröffentlicht: (2007)
von: Березянский, Б.М.
Veröffentlicht: (2007)
Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
von: Крапивко, Г.И.
Veröffentlicht: (2005)
von: Крапивко, Г.И.
Veröffentlicht: (2005)
Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
von: Борисенко, А.Г.
Veröffentlicht: (2013)
von: Борисенко, А.Г.
Veröffentlicht: (2013)
Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Improvement of the reverse characteristics of Schottky diodes using gettering
von: Litvinenko, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Litvinenko, V.N., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Информационные параметры для реализации адаптивной зарядки вторичных химических источников тока
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Исследование линейной корреляционной связи в парных выборках малого объема
von: Попукайло, В.С.
Veröffentlicht: (2016)
von: Попукайло, В.С.
Veröffentlicht: (2016)
Монтаж микросборок с подложкой из кремния
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005)
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005)
Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ähnliche Einträge
-
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
von: Баранов, В.В.
Veröffentlicht: (2005) -
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Турцевич, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Влияние легирующих добавок на теплостойкость и теплопередачу никелевых покрытий корпусов ИС
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)