Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2009
• Main Authors: Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Subjects: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52309
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 25-28. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Предложен метод измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур с участками крутого падения с использованием измерительного переменного напряжения умеренно малых амплитуд. Показано, що вольт-фарадні характеристики, що мають ділянки крутого падіння, зокрема вольт-фарадні характерист...