Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
Предложен метод измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур с участками крутого падения с использованием измерительного переменного напряжения умеренно малых амплитуд. Показано, що вольт-фарадні характеристики, що мають ділянки крутого падіння, зокрема вольт-фарадні характерист...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52309 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 25-28. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862656526949285888 |
|---|---|
| author | Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. |
| author_facet | Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. |
| citation_txt | Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 25-28. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Предложен метод измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур с участками крутого падения с использованием измерительного переменного напряжения умеренно малых амплитуд.
Показано, що вольт-фарадні характеристики, що мають ділянки крутого падіння, зокрема вольт-фарадні характеристики тонкоплівкових структур GaAs, можуть бути виміряні при помірно малих амплітудах змінної напруги (порядку 100 мВ) за рахунок проведення вимірювань на двох різних амплітудах. Цей висновок підтверджено результатами числового розрахунку позірної ємності епітаксіальних структур GaAs.·
It is shown that capacitance voltage characteristics that feature steeply dropping regions, in particular those of GaAs thin-film structures, may be measured at moderately small amplitudes of the measuring AC voltage (of the order of 100 mV) at the expense of taking measurements at two different amplitudes. This conclusion is confirmed by the results of numerical calculation of the apparent capacitance of GaAs epitaxial structures.
|
| first_indexed | 2025-12-02T05:24:03Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52309 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T05:24:03Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. 2013-12-29T17:12:11Z 2013-12-29T17:12:11Z 2009 Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 25-28. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52309 Предложен метод измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур с участками крутого падения с использованием измерительного переменного напряжения умеренно малых амплитуд. Показано, що вольт-фарадні характеристики, що мають ділянки крутого падіння, зокрема вольт-фарадні характеристики тонкоплівкових структур GaAs, можуть бути виміряні при помірно малих амплітудах змінної напруги (порядку 100 мВ) за рахунок проведення вимірювань на двох різних амплітудах. Цей висновок підтверджено результатами числового розрахунку позірної ємності епітаксіальних структур GaAs.· It is shown that capacitance voltage characteristics that feature steeply dropping regions, in particular those of GaAs thin-film structures, may be measured at moderately small amplitudes of the measuring AC voltage (of the order of 100 mV) at the expense of taking measurements at two different amplitudes. This conclusion is confirmed by the results of numerical calculation of the apparent capacitance of GaAs epitaxial structures. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs Вольт-фарадні вимірювання в тонкоплівкових епітаксіальних структурах GaAs Capacitance-voltage measurements in GaAs thin-film epitaxial structures Article published earlier |
| spellingShingle | Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs Горев, Н.Б. Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_alt | Вольт-фарадні вимірювання в тонкоплівкових епітаксіальних структурах GaAs Capacitance-voltage measurements in GaAs thin-film epitaxial structures |
| title_full | Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_fullStr | Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_full_unstemmed | Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_short | Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs |
| title_sort | вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах gaas |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52309 |
| work_keys_str_mv | AT gorevnb volʹtfaradnyeizmereniâvtonkoplenočnyhépitaksialʹnyhstrukturahgaas AT kodžespirovaif volʹtfaradnyeizmereniâvtonkoplenočnyhépitaksialʹnyhstrukturahgaas AT privaloven volʹtfaradnyeizmereniâvtonkoplenočnyhépitaksialʹnyhstrukturahgaas AT gorevnb volʹtfaradnívimírûvannâvtonkoplívkovihepítaksíalʹnihstrukturahgaas AT kodžespirovaif volʹtfaradnívimírûvannâvtonkoplívkovihepítaksíalʹnihstrukturahgaas AT privaloven volʹtfaradnívimírûvannâvtonkoplívkovihepítaksíalʹnihstrukturahgaas AT gorevnb capacitancevoltagemeasurementsingaasthinfilmepitaxialstructures AT kodžespirovaif capacitancevoltagemeasurementsingaasthinfilmepitaxialstructures AT privaloven capacitancevoltagemeasurementsingaasthinfilmepitaxialstructures |