Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
Экспериментально установлено, что изменяя условия выращивания, можно получить эпитаксиальные слои с требуемыми параметрами (толщиной, подвижностью и концентрацией носителей заряда). Експериментально встановлено кореляцію рухливості і концентрації носіїв заряду і умов вирощування методом рідкофазної...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52313 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания / А.В Каримов., Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 38-41. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |