Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2009
• Автори: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Якубов, Э.Н.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
• Теми: Технологические процессы и оборудование
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52313
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания / А.В Каримов., Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 38-41. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Экспериментально установлено, что изменяя условия выращивания, можно получить эпитаксиальные слои с требуемыми параметрами (толщиной, подвижностью и концентрацией носителей заряда). Експериментально встановлено кореляцію рухливості і концентрації носіїв заряду і умов вирощування методом рідкофазної епітаксії арсенід-галієвих шарів. Змінюючи параметри технологічного процесу вирощування, можна отримати шари з необхідною рухливістю і концентрацією носіїв заряду.· The correlation between mobility and carriers concentration and growth's conditions of gallium arsenic layers by liquid phase epitaxy is established. It is possible to obtain layers with required mobility and concentration of charge carriers by changing of technology parameters of growth s process.