Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
Экспериментально установлено, что изменяя условия выращивания, можно получить эпитаксиальные слои с требуемыми параметрами (толщиной, подвижностью и концентрацией носителей заряда). Експериментально встановлено кореляцію рухливості і концентрації носіїв заряду і умов вирощування методом рідкофазної...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52313 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания / А.В Каримов., Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 38-41. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862733915492450304 |
|---|---|
| author | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. |
| author_facet | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. |
| citation_txt | Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания / А.В Каримов., Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 38-41. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Экспериментально установлено, что изменяя условия выращивания, можно получить эпитаксиальные слои с требуемыми параметрами (толщиной, подвижностью и концентрацией носителей заряда).
Експериментально встановлено кореляцію рухливості і концентрації носіїв заряду і умов вирощування методом рідкофазної епітаксії арсенід-галієвих шарів. Змінюючи параметри технологічного процесу вирощування, можна отримати шари з необхідною рухливістю і концентрацією носіїв заряду.·
The correlation between mobility and carriers concentration and growth's conditions of gallium arsenic layers by liquid phase epitaxy is established. It is possible to obtain layers with required mobility and concentration of charge carriers by changing of technology parameters of growth s process.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:39:55Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52313 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:39:55Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. 2013-12-29T17:24:32Z 2013-12-29T17:24:32Z 2009 Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания / А.В Каримов., Д.М. Ёдгорова, Э.Н. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 38-41. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52313 Экспериментально установлено, что изменяя условия выращивания, можно получить эпитаксиальные слои с требуемыми параметрами (толщиной, подвижностью и концентрацией носителей заряда). Експериментально встановлено кореляцію рухливості і концентрації носіїв заряду і умов вирощування методом рідкофазної епітаксії арсенід-галієвих шарів. Змінюючи параметри технологічного процесу вирощування, можна отримати шари з необхідною рухливістю і концентрацією носіїв заряду.· The correlation between mobility and carriers concentration and growth's conditions of gallium arsenic layers by liquid phase epitaxy is established. It is possible to obtain layers with required mobility and concentration of charge carriers by changing of technology parameters of growth s process. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания Кореляція параметрів арсенiд-галієвих епітаксійних шарів і технології їх вирощування The correlation between parameters of gallium arsenic epitaxy layers and technology of growth's process Article published earlier |
| spellingShingle | Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Якубов, Э.Н. Технологические процессы и оборудование |
| title | Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| title_alt | Кореляція параметрів арсенiд-галієвих епітаксійних шарів і технології їх вирощування The correlation between parameters of gallium arsenic epitaxy layers and technology of growth's process |
| title_full | Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| title_fullStr | Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| title_full_unstemmed | Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| title_short | Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| title_sort | корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52313 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav korrelâciâparametrovarsenidgallievyhépitaksialʹnyhsloevitehnologiiihvyraŝivaniâ AT edgorovadm korrelâciâparametrovarsenidgallievyhépitaksialʹnyhsloevitehnologiiihvyraŝivaniâ AT âkubovén korrelâciâparametrovarsenidgallievyhépitaksialʹnyhsloevitehnologiiihvyraŝivaniâ AT karimovav korelâcíâparametrívarsenidgalíêvihepítaksíinihšarívítehnologíííhviroŝuvannâ AT edgorovadm korelâcíâparametrívarsenidgalíêvihepítaksíinihšarívítehnologíííhviroŝuvannâ AT âkubovén korelâcíâparametrívarsenidgalíêvihepítaksíinihšarívítehnologíííhviroŝuvannâ AT karimovav thecorrelationbetweenparametersofgalliumarsenicepitaxylayersandtechnologyofgrowthsprocess AT edgorovadm thecorrelationbetweenparametersofgalliumarsenicepitaxylayersandtechnologyofgrowthsprocess AT âkubovén thecorrelationbetweenparametersofgalliumarsenicepitaxylayersandtechnologyofgrowthsprocess |