Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста

Определена область оптимальных соотношений потоков PH₃/SiH₄ и температуры осаждения, обеспечивающих приемлемую скорость и однородность осаждения, высокий уровень легирования и конформное заполнение топологического рельефа пленками ПКЛФ....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Наливайко, О.Ю., Турцевич, А.С.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52332
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 50-55. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52332
record_format dspace
fulltext
spelling nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-523322025-02-09T11:14:09Z Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста Адсорбційно-кінетична модель осаджування плівок полікристалічного кремнію, легованих фосфором в процесі зростання The adsorptive-kinetic model of in-situ phosphorus doped film polysilicon deposition process Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 50-55. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. Материалы электроники Определена область оптимальных соотношений потоков PH₃/SiH₄ и температуры осаждения, обеспечивающих приемлемую скорость и однородность осаждения, высокий уровень легирования и конформное заполнение топологического рельефа пленками ПКЛФ. 2009 Article Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 50-55. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52332 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре application/pdf Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы электроники
Материалы электроники
spellingShingle Материалы электроники
Материалы электроники
Наливайко, О.Ю.
Турцевич, А.С.
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Определена область оптимальных соотношений потоков PH₃/SiH₄ и температуры осаждения, обеспечивающих приемлемую скорость и однородность осаждения, высокий уровень легирования и конформное заполнение топологического рельефа пленками ПКЛФ.
format Article
author Наливайко, О.Ю.
Турцевич, А.С.
author_facet Наливайко, О.Ю.
Турцевич, А.С.
author_sort Наливайко, О.Ю.
title Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
title_short Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
title_full Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
title_fullStr Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
title_full_unstemmed Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
title_sort адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2009
topic_facet Материалы электроники
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52332
citation_txt Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 50-55. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT nalivajkooû adsorbcionnokinetičeskaâmodelʹosaždeniâplenokpolikristalličeskogokremniâlegirovannyhfosforomvprocesserosta
AT turcevičas adsorbcionnokinetičeskaâmodelʹosaždeniâplenokpolikristalličeskogokremniâlegirovannyhfosforomvprocesserosta
AT nalivajkooû adsorbcíjnokínetičnamodelʹosadžuvannâplívokpolíkristalíčnogokremníûlegovanihfosforomvprocesízrostannâ
AT turcevičas adsorbcíjnokínetičnamodelʹosadžuvannâplívokpolíkristalíčnogokremníûlegovanihfosforomvprocesízrostannâ
AT nalivajkooû theadsorptivekineticmodelofinsituphosphorusdopedfilmpolysilicondepositionprocess
AT turcevičas theadsorptivekineticmodelofinsituphosphorusdopedfilmpolysilicondepositionprocess
AT nalivajkooû adsorbcionnokinetičeskaâmodelʹosaždeniâplenokpolikristalličeskogokremniâlegirovannyhfosforomvprocesserostaoûnalivajkoasturcevičtehnologiâikonstruirovanievélektronnojapparature20096s5055bíblíogr7nazvros
AT turcevičas adsorbcionnokinetičeskaâmodelʹosaždeniâplenokpolikristalličeskogokremniâlegirovannyhfosforomvprocesserostaoûnalivajkoasturcevičtehnologiâikonstruirovanievélektronnojapparature20096s5055bíblíogr7nazvros
first_indexed 2025-11-25T21:05:32Z
last_indexed 2025-11-25T21:05:32Z
_version_ 1849797883886305280