Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
Рассмотрены модель возникновения дефектов на поверхности поликристаллического кремния при обработке полупроводниковых пластин в травителе, а так-же модель удаления этих дефектов в растворах химикатов....
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Иванчиков, А.Э., Кисель, А.М., Медведева, А.Б., Плебанович, В.И. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52392 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния / А.Э. Иванчиков, А.М. Кисель, А.Б. Медведева, В.И. Плебанович // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 42-47. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Кудрик, Я.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
von: Крапивко, Г.И.
Veröffentlicht: (2005) -
Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD
von: Глушко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
von: Борисенко, А.Г.
Veröffentlicht: (2013)