Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
Определены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов.
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52781 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами / С.И. Круковский, Н.Я. Сыворотка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 2. — С. 47-51. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |