Бончик, А., Ижнин, И., Кияк, С., & Савицкий, Г. (2005). Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs: Si. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Бончик, А.Ю, И.И Ижнин, С.Г Кияк, und Г.В Савицкий. "Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев N-GaAs: Si." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2005.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Бончик, А.Ю, et al. "Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев N-GaAs: Si." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.