Бончик, А., Ижнин, И., Кияк, С., & Савицкий, Г. (2005). Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs: Si. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Бончик, А.Ю, И.И Ижнин, С.Г Кияк, та Г.В Савицкий. "Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев N-GaAs: Si." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2005.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Бончик, А.Ю, et al. "Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев N-GaAs: Si." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.