Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53563 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53563 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Бончик, А.Ю. Ижнин, И.И. Кияк, С.Г. Савицкий, Г.В. 2014-01-22T23:00:56Z 2014-01-22T23:00:56Z 2005 Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53563 Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с). ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si Вплив режимів іонного легування та фотонного відпалу на параметри імплантованих шарів n-GaAs:Si Influence of ion doping and photon annealing modes on properties of n-GaAs:Si implanted layers Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| spellingShingle |
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si Бончик, А.Ю. Ижнин, И.И. Кияк, С.Г. Савицкий, Г.В. Материалы для микроэлектроники |
| title_short |
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_full |
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_fullStr |
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_full_unstemmed |
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_sort |
влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-gaas:si |
| author |
Бончик, А.Ю. Ижнин, И.И. Кияк, С.Г. Савицкий, Г.В. |
| author_facet |
Бончик, А.Ю. Ижнин, И.И. Кияк, С.Г. Савицкий, Г.В. |
| topic |
Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| publishDate |
2005 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вплив режимів іонного легування та фотонного відпалу на параметри імплантованих шарів n-GaAs:Si Influence of ion doping and photon annealing modes on properties of n-GaAs:Si implanted layers |
| description |
Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53563 |
| citation_txt |
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT bončikaû vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi AT ižninii vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi AT kiâksg vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi AT savickiigv vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi AT bončikaû vplivrežimívíonnogoleguvannâtafotonnogovídpalunaparametriímplantovanihšarívngaassi AT ižninii vplivrežimívíonnogoleguvannâtafotonnogovídpalunaparametriímplantovanihšarívngaassi AT kiâksg vplivrežimívíonnogoleguvannâtafotonnogovídpalunaparametriímplantovanihšarívngaassi AT savickiigv vplivrežimívíonnogoleguvannâtafotonnogovídpalunaparametriímplantovanihšarívngaassi AT bončikaû influenceofiondopingandphotonannealingmodesonpropertiesofngaassiimplantedlayers AT ižninii influenceofiondopingandphotonannealingmodesonpropertiesofngaassiimplantedlayers AT kiâksg influenceofiondopingandphotonannealingmodesonpropertiesofngaassiimplantedlayers AT savickiigv influenceofiondopingandphotonannealingmodesonpropertiesofngaassiimplantedlayers |
| first_indexed |
2025-12-07T18:11:59Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:11:59Z |
| _version_ |
1850874128999907328 |