Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2005
Main Authors: Бончик, А.Ю., Ижнин, И.И., Кияк, С.Г., Савицкий, Г.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53563
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1860205865019113472
author Бончик, А.Ю.
Ижнин, И.И.
Кияк, С.Г.
Савицкий, Г.В.
author_facet Бончик, А.Ю.
Ижнин, И.И.
Кияк, С.Г.
Савицкий, Г.В.
citation_txt Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).
first_indexed 2025-12-07T18:11:59Z
format Article
fulltext ��������� � ���� ���������� � ���� ������ ������ ���� ����� � � � ��������� �� ���� ������ ���� �� � ��� ������ � �������� ���� ���! �� "������ ���������������� � ��� #$�� � �� ����� ����%� ���������� �� &���' ��� ���������������� �������� ���������������� � � ��� �������� �������������� �������������� ������� (������� �� )*���� +,,-- ./.(� .,, 0&��� 1 2345678 9:;<5=>?65@44�7A6A�:5B C;5D5E?6@4�7A6A�:5 F)+G.+H IHJ+-"F +".."K" )HK+I"F/.+G + L"�".."K" "�J+K/ ./ ,/I/-H�IM +-,)/.�+I"F/..MN O)"HF �3P5QR8R6 ��������� ����� ��!�"�#�$%&'�()� !$�� '�� ��*+,-� ��� #�$%(��$(.%/0'��*+,- ��$0(��1�2�342�5�����!����6'��.�6(� '1�7$'��.�����323843239�!�:5�(�#���( � ��!�"/�;22245222�!�;<=�>!?� +���� �S���� ��� �� � � ����S �T ������%� S� ���� U��S������� �����*�%� ����������%� �V3 ��� �� � S�������� ����%� ���V���� �� ������ P5Q93 � P5Q93� ��� �� �� �T�� ������ ���V���� S����3 ���� ������� �����S�� OFW �����%� ���T�� ���� � V��*���S X� �� YZ� �[� ,��\�� ����� � � �� T��� � ������ S� ��UU�T������� ���������� � ��� S� �3 ������ ���V���� ������%S� ���S�� S� � �%����� ���3 ��� ������ #]Z�Z^ �S_�'� V�T T��`� ��*���� ����a�3 �� ���� ����`����� � ��� ��% S� ������� .��S� � �� �� ̀ � ������ ���������� �������� ����� ��`��� ��T���� *� �\� V���� �� �� � � ��\3 ��S ������ ��S ���`�� �� ����`��� T�����%� �� ����������� ����S� ��� ��V�� � ���������� ����3 ����������%� ��������`����� � ��������� ��*���� ��V� �� �%V��� ��\�S�� ������ �S���� ���� ���3 S��� �� ���V����� S� ���� � ��\�S�� ������S����3 ��������� � \���� ,�������� �V� � ��*� �� ��T��� ������� ��*�%� ������ � � ������� � ������� ��*3 ��S� ����\����� ��������� ������� ���������� � �� T� � �S� ̀ � ��� �%����� �S���� ���� � \��� ��������� ��T��\���� S� ������ T� �`� �������� Q9 � ��������� �� � ��V�� � T�b� � ��������� � ��� �V%`��S ��S�`����S � \���� c��`� ��*�%� ����S�b�� �� � � �S ����� ��� �S���*��%� U� ���%� � \�� Y�[� O����� ��*�%� ���3 ��T �V%`���� � U� ������ � \���� � ��\� �����*3 T������ U� ������ � \��� � �S���� ��������S ���S3 ���S �����T������b�S P5Q9 �� ��T���� OFW ��3 ���%� ���T�� ���� � �� �����*�%� S�������S V%�� ��������� � Y!� �[� F `�� ��� �� �S � S�`�� � �%3 ���� �� ����� * �������%� ����� R6 ��� �����*T�3 ����� U� ������ � \���� $��*� ��V� % V%�� � ��V� �� ��������`����� ��\�S�� ������� ���������� ����S� R6 � ��\�S�� ������S���� ��������� ��������� ���� �S���*���3 �� U� ������ � \��� �� ����`��� ����� �3P5Q9 �� �����T������b�S P5Q9 ��b���� ��Zd��� S�S � ������ ������ ���� ����� Z�Z dZ�Z^ �S_� � �����\3 ��� *� ����d���� �S�e#Ff�'� ����������� +����� ����������� ����S� R6g ����������* �� �����3��`���� �� ������ -IF3��� U��S% hi57j>;9k� �� ����`��� ����� R6g � �����S �� �`���� �����*3 T������* ���������� R6l ! � /����T ���� ��� ����� ������� ��������� � ����`���%� � ��S�b*� S���3 ���� �����U�� ����� ��*� ����� �V � �� � ��� ����� ��� ������� ����� �� �%���� ������� ������ ���� +���� �S���� ��� ����������* ��� ������� ����� Z�� ��F ��� ��S�� ��� �S���� ��� � ���S��*3 ��S ������� ��`�� ����� �� ��������� * �����\�� � U������� ����� �fZ�Z�� Z�Z! � �fZ�Z! �S_�� &�� 3 ���* U������ ����� ���b�� �� �� �� �����%S ��3 ���� ���S � �`��� *� �� ��\� ����m� F ��`�� �� �����\�� V%�� �����*T����% �����T������b�� ���3 � ��% P5Q9 ��� /KW,3Z � ����� ����� #Z��' � ����*3 �%S ����� �������S ≥Z� "Sf�S ����T���� �� "/" 0W�� %� S� ���%1 #�� O�� �������'� �� �� ������ �S���� �������%� ����� � � \�3 �� ����������%� ��U�� �� �����*T����� ��������� 3 �%� �S���*��%� U� ���%� � \��� �� `��� �����*3 T������* S������T�������� �� ������ U� ������ � \��� 0"����1� �������� � Yn[� &�S�*� ����� ��3 �������� �� ������� ��T��� �� � �%����� �`��� *� �������T���� * T������S%� �S���� ����3���S���%� ������SS% � \��� �S���� �������%� � ��� �� ��� ����� ���%� T��`��� � ���S��� � \��� �� Z�� � � �S���� ���� � \��� �� Z���oO � ��T���*�%S ��� 3 ����S ���S������ ���� T����� � ����*��� �S����3 ��% ���\� �� �� ������ ������ � " \�� ��������3 � � T�b� ��� ��� �`��� � S��U��� �T� �� I��� Z� ��S���� ����3���S���%� ������SS% U� ����3 �� � \��� �����3�S���� �������%� � ��� �� P5Q9 ��� ��� ��*��� � � \��� Z� �8 3 d�@p^��oOB ; d�@p^��oOB 5 d�@pq��oO � Z� �� �� !� A� = @� oO q�� ^�� �� n�� ��� !�� ��� ��� Z�� � � Z ! ��������� �� ���� ������ ���� ��������� � ���� ���������� � ���� ������ ������ ���� ����� � � �� �����T� ����`���%� ��T��* � �� �����S ��3 ��`��� ���UU����� � �� ����� � ��������%� ����� +p�-eB Y�[� �� ��� �� �`� %��� ��� �� �V�����3 �%� ����� � ��������� � � ������% ��T���� r�S3 ���� �������%� ����d�����\��r� .� ���� � ��������% T�����S�� � �� ����� � ����� � U������ �� ���� ��\�S�� � \���� #c��`�3 �� �� Bp�⋅1012 �S–2 �T % �T ��V� % [5].) &�� ���3 ��� � ��\��S ���`�� ��V����� � ���*��� �S��*a�3 ��� �� ����� � ��� ��T��� ���� U������ ������ ������ +���������� ����T��� ��TS�\��� * ����`��� � ��S�b*� U� ������ � \��� �S���� �������%� ����S� R6 ����� #3P5Q9 � ��b���� ��Zd��� S�S� ������ ������ ���� ����� Z�Z dZ�Z^ �S_� � �����\3 ��� *� ����d���� �S�e#Ff�'� " S�`�� � ���*�� T�����S�� * �� ����� � �S3 ���� �������%� ����� � U������ ������ +O,")sc"F/..MH +O�"W.+&+ Z� /������ ����� � S�������� ������ e ,�� ���� .� /���3 ������ (� (���S����d -�8 -��� Zq^^� �� t:D9@>;C>; u� P�� t6;9=v w� P5Q9 <6>7x3><<>=E E;5D969Ey;9 z6Ev 6yD 64@75DE>x =v5DD>79 ee 27>=E;yD� {>EE�d Zq ��_ |y7� q� w ���d }� � d� ^� �� K� �� c� ~�� "�����*�� O� /�� ��V����� G� F� +S���*��%� ��T��3 �%� � \�� �����3�S���� �������%� ���������������%� S� ����3 ��� ee c���V�\�� ���� ����� �������d Zq^��d � n�d O� �d!^� !� �54:;5 Q�� �>Dy�545 ��� w69v66 �� >E 57� w>z ;5@6x Ev>;457 5DD>576DC <y; P5Q9 x6C6E57 6DE>C;5E>x =6;=:6E9 ee �� Q@@7� }v�9�d Zq^ �d |y7� n�� w ��d }� ZZ��dZZ� � �� �;69E �� ��� {yy� �� �� Q=E6A5E6yD ><<6=6>D=6>9 <y; 5 9E5Dx5;x �:576<6=5E6yD 64@75DE 6D P5Q9 5DD>57>x �� 5 ;5@6x Ev>;457 @;y=>99 ee �� 27>=E;yD� �5E>;�d Zqq��d |y7� Zq� w ^�d }� �d n� n� O������� K� F�� ���`�� /� ~�� +\��� +� +� � ��� -������3 T��� �� ������ U� ������ � \��� ���������������%� ���� �� 0"����1 ee r��������� � ���� ���������� � ���� ������ ������3 ���r�d �����d � n�d O� !�d! � � ���`�� "� ~�� �\��� �� ��� &� � O� K� � ��� /� �S� �T������ ��S����� �� ������\��� ���� ��U�T�`��� ���� ���� �� ��������3 ���������� S� ������� ee cV� ����� ����* L�T�3S�����`� ��3 � �S� K� F� &�������� O��� 0L�T�`�� S� ��� � T���V� ��� ���� ��������b� S� ������� � ����V��1�d �����d F��� �d O� ���d�!�� �� ����������� ��� �� ��\�S�� � \��� # �S3 ���� ��� � ��� ��*��� *' �� ����S� �% �S���� ���3 ����%� ����� #������ ����� � �����\��� * ���� �3 ���� ��b��� �S���� ���������� ��� ' �T �S���� �3 �������� ��� ��\��S U������ ���� ��% V%�� �%��3 �� � �� q �V��T��� ��TS���S� ���S���� ^×^ SS �� ��������� ���������� �TS������� " \�� ��������� ��� �S���� ���� ̂ ��� ̂ �� � q��oO � ��� ��*��� � � 3 \��� � � Z� � �� ��\��� �S���� ��%� #.� ���� �������� ���S�� �S���� ����3���S����� ������SS% � \��� ��� ��� ��*��� � Z� ��' ,�������*�� � � �S� �V��T��S� � \������* ��\� �V��T�% �� ���������3 �� ��b��% �S���� ���������� ��� � ���U�� ���3 ��������� ������ ����� ���� ����� ,���� � \��� �� ��\�%� ���������� �V��T�� ��3 ������ S������ �*����S ��� �� % �T ������ �Dg�m�> � �� ��%� T� �S � \����� ��� �S���� ��� !��oO � �`���� Z S�� � � S��U��� �T� �� &����� ���� � �����\��� * ���� ���� ������3 � ���* �T ��T��* � �� ���������� �TS������� +TS�3 ���� ��������� �� � ����� ��� S� ����� �� ��� �3 ���S ��� � S���� ��S ���� Z �� � ���U�������� F��3���3,�� ��� ��S�� ��� �S���� ��� �� S������3 T��������� �� ������ hN���3���k Y [� ��!"#$�%�� � �&�"'����� ,�� �S���*���S ��������� ��S U� ����S � \�3 �� �V��T�� ��������� � �� ��� ��b���� ������ ��� `��� ������� � \��� ��������� � ������ U�T�� ,� ��������� � �V%`�%S ��S�`����S � \���S ���3 ���� ����� ����� ��U�� ��� � ��� ��% ������� T��3 `� ��*�� V%� ��� #��� ��� ��� �� ������'� � ��� �3 S� U� ���%� � \�� �� �������\��� � T��`� ��*�%S ��UU�T�%S ��TS%�����S ���U�� �S���� ������3 ��� ���S���� � ��S�� �������� �%T%��� T��`� ��*�� S��*a�� ��T��\���� ��������� � S� ������� I�T��* � % ������������ ��T��`�%� ������� � 3 \��� �� ����� �� �S���� �������%� R6 ����� �3P5Q9 ��������% � �%&#�(�� ��� U����� ��������%� �����B �S���� ��� � \���B ��� ��*��� * � \���B ������ ��������� ������ ���� ���� ������ Ce=DfE t 'B �UU�� ���� ��b��� �S���� ���������� ��� B T�� � ���� ����B ���UU����� N����B �����\��� * ���� ������ B�d @ � \�d A � \ d �- d �- p C�d ' d E t�d µ d ��.��'�.F�(�����(�#$���(.�����FG� !�.%��%. #�!$'� ������H�� �� (H� �, �� –2 ����, °� t���, � ��� � �� �� ns, �� –2 µ, �� 2 ���⋅�� 800 5 AG1-800-5 1,43⋅1013 2040 850 5 AG1-850-5 1,91⋅1013 1980 1014 900 5 AG1-900-5 2,36⋅1013 1800 800 10 AG1-800-10 1,7⋅1013 1940 850 10 AG1-850-10 2,02⋅1013 1840 1014 900 10 AG1-900-10 2,29⋅1013 1700 800 5 AG2-800-5 1,13⋅1013 2090 850 5 AG2-850-5 1,43⋅1013 2030 5⋅1014 900 5 AG2-900-5 1,57⋅1013 2010 800 10 AG2-800-10 1,22⋅1013 2150 850 10 AG2-850-10 1,48⋅1013 2050 5⋅1014 900 10 AG2-900-10 1,64⋅1013 1930 850 5 AG3-850-5 5,37⋅1012 1450 3⋅1013 900 5 AG3-900-5 9,87⋅1012 1800 800 10 AG3-800-10 4,72⋅1012 1920 850 10 AG3-850-10 7,34⋅1012 1780 3⋅1013 900 10 AG3-900-10 1,3⋅1013 1520 I��� �� c�����S�� * �� ����� � ����� � U������ �� �S���� �������%� R6 ���3 �� P5Q9 ��� ��\�S�� � \��� @pq��oO� Ap� � #3' � @p^��oO� ApZ� � #;' Z�Z� Z�Z� Z�Z! B� =_� �� � �� ��� ��� ��! ��� ��� ��Z ��� � Z
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53563
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-07T18:11:59Z
publishDate 2005
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Бончик, А.Ю.
Ижнин, И.И.
Кияк, С.Г.
Савицкий, Г.В.
2014-01-22T23:00:56Z
2014-01-22T23:00:56Z
2005
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53563
Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Материалы для микроэлектроники
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
Вплив режимів іонного легування та фотонного відпалу на параметри імплантованих шарів n-GaAs:Si
Influence of ion doping and photon annealing modes on properties of n-GaAs:Si implanted layers
Article
published earlier
spellingShingle Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
Бончик, А.Ю.
Ижнин, И.И.
Кияк, С.Г.
Савицкий, Г.В.
Материалы для микроэлектроники
title Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
title_alt Вплив режимів іонного легування та фотонного відпалу на параметри імплантованих шарів n-GaAs:Si
Influence of ion doping and photon annealing modes on properties of n-GaAs:Si implanted layers
title_full Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
title_fullStr Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
title_full_unstemmed Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
title_short Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
title_sort влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-gaas:si
topic Материалы для микроэлектроники
topic_facet Материалы для микроэлектроники
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53563
work_keys_str_mv AT bončikaû vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi
AT ižninii vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi
AT kiâksg vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi
AT savickiigv vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi
AT bončikaû vplivrežimívíonnogoleguvannâtafotonnogovídpalunaparametriímplantovanihšarívngaassi
AT ižninii vplivrežimívíonnogoleguvannâtafotonnogovídpalunaparametriímplantovanihšarívngaassi
AT kiâksg vplivrežimívíonnogoleguvannâtafotonnogovídpalunaparametriímplantovanihšarívngaassi
AT savickiigv vplivrežimívíonnogoleguvannâtafotonnogovídpalunaparametriímplantovanihšarívngaassi
AT bončikaû influenceofiondopingandphotonannealingmodesonpropertiesofngaassiimplantedlayers
AT ižninii influenceofiondopingandphotonannealingmodesonpropertiesofngaassiimplantedlayers
AT kiâksg influenceofiondopingandphotonannealingmodesonpropertiesofngaassiimplantedlayers
AT savickiigv influenceofiondopingandphotonannealingmodesonpropertiesofngaassiimplantedlayers