Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53563 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860205865019113472 |
|---|---|
| author | Бончик, А.Ю. Ижнин, И.И. Кияк, С.Г. Савицкий, Г.В. |
| author_facet | Бончик, А.Ю. Ижнин, И.И. Кияк, С.Г. Савицкий, Г.В. |
| citation_txt | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:11:59Z |
| format | Article |
| fulltext |
���������
�
����
����������
�
����
������
������
����
�����
�
�
�
���������
�� ����
������
����
��
�
���
������
�
��������
����
���!
��
"������
���������������� �
���
#$��
�
��
�����
����%�
����������
��
&���'
���
����������������
��������
����������������
�
�
���
�������� ��������������
�������������� �������
(�������
��
)*����
+,,--
./.(�
.,,
0&���
1
2345678
9:;<5=>?65@44�7A6A�:5B C;5D5E?6@4�7A6A�:5
F)+G.+H
IHJ+-"F
+".."K"
)HK+I"F/.+G
+
L"�".."K"
"�J+K/
./
,/I/-H�IM
+-,)/.�+I"F/..MN
O)"HF
�3P5QR8R6
��������� ����� ��!�"�#�$%&'�()� !$��
'�� ��*+,-� ��� #�$%(��$(.%/0'��*+,-
��$0(��1�2�342�5�����!����6'��.�6(�
'1�7$'��.�����323843239�!�:5�(�#���( �
��!�"/�;22245222�!�;<=�>!?�
+����
�S����
���
�� �
�
����S
�T
������%�
S�
����
U��S�������
�����*�%�
����������%�
�V3
���
��
�
S��������
����%�
���V����
��
������
P5Q93
�
P5Q93�
���
��
��
�T��
������
���V����
S����3
����
�������
�����S��
OFW
�����%�
���T��
����
�
V��*���S
X�
��
YZ�
�[�
,��\��
�����
�
�
�� T���
�
������
S�
��UU�T�������
����������
�
���
S�
�3
������
���V����
������%S�
���S�� S�
�
�%�����
���3
���
������
#]Z�Z^
�S_�'�
V�T
T��`�
��*����
����a�3
��
����
����`�����
�
���
��%
S�
�������
.��S�
�
��
��
̀
�
������
����������
��������
�����
��`���
��T����
*�
�\�
V����
��
��
�
�
��\3
��S
������
��S
���`��
��
����`���
T�����%�
��
�����������
����S�
���
��V��
�
����������
����3
����������%�
��������`�����
�
���������
��*����
��V�
��
�%V���
��\�S��
������
�S����
����
���3
S���
��
���V�����
S�
����
�
��\�S��
������S����3
���������
�
\����
,��������
�V�
�
��*�
��
��T���
�������
��*�%�
������
�
�
�������
�
�������
��*3
��S�
����\�����
���������
�������
����������
�
�� T�
�
�S�
̀
�
���
�%�����
�S����
����
�
\���
���������
��T��\����
S�
������
T�
�`�
��������
Q9
�
���������
��
�
��V��
�
T�b�
�
���������
�
���
�V%`��S
��S�`����S
�
\����
c��`�
��*�%�
����S�b��
��
�
�
�S
�����
���
�S���*��%�
U�
���%�
�
\��
Y�[�
O�����
��*�%�
���3
��T
�V%`����
�
U�
������
�
\����
�
��\�
�����*3
T������
U�
������
�
\���
�
�S����
��������S
���S3
���S
�����T������b�S
P5Q9
��
��T����
OFW
��3
���%�
���T��
����
�
��
�����*�%�
S�������S
V%��
���������
�
Y!�
�[�
F
`��
���
��
�S
�
S�`��
�
�%3
����
��
�����
*
�������%�
�����
R6
���
�����*T�3
�����
U�
������
�
\����
$��*�
��V�
%
V%��
�
��V�
��
��������`�����
��\�S��
�������
����������
����S�
R6
�
��\�S��
������S����
���������
���������
����
�S���*���3
��
U�
������
�
\���
��
����`���
�����
�3P5Q9
��
�����T������b�S
P5Q9
��b����
��Zd���
S�S
�
������
������
����
�����
Z�Z dZ�Z^
�S_�
�
�����\3
���
*�
����d����
�S�e#Ff�'�
�����������
+�����
�����������
����S�
R6g
����������*
��
�����3��`����
��
������
-IF3���
U��S%
hi57j>;9k�
��
����`���
�����
R6g
�
�����S
��
�`����
�����*3
T������*
����������
R6l
!
�
/����T
����
���
�����
�������
��������� �
����`���%�
�
��S�b*�
S���3
����
�����U��
�����
��*�
�����
�V
�
��
�
���
�����
���
�������
�����
��
�%����
�������
������
����
+����
�S����
���
����������*
���
�������
�����
Z��
��F
���
��S��
���
�S����
���
�
���S��*3
��S
�������
��`��
�����
��
���������
*
�����\��
�
U�������
�����
�fZ�Z��
Z�Z!
�
�fZ�Z!
�S_��
&��
3
���*
U������
�����
���b��
�� ��
��
�����%S
��3
����
���S
�
�`���
*�
��
��\�
����m�
F
��`��
��
�����\��
V%��
�����*T����%
�����T������b��
���3
�
��%
P5Q9
���
/KW,3Z
�
�����
�����
#Z��'
�
����*3
�%S
�����
�������S
≥Z�
"Sf�S
����T����
��
"/"
0W��
%�
S�
���%1
#��
O��
�������'�
��
��
������
�S����
�������%�
�����
�
�
\�3
��
����������%�
��U��
��
�����*T�����
���������
3
�%�
�S���*��%�
U�
���%�
�
\���
��
`���
�����*3
T������*
S������T��������
��
������
U�
������
�
\���
0"����1�
��������
�
Yn[�
&�S�*�
�����
��3
��������
��
�������
��T��� ��
�
�%�����
�`���
*�
�������T����
*
T������S%�
�S����
����3���S���%�
������SS%
�
\���
�S����
�������%�
�
���
��
���
�����
���%�
T��`��� �
���S���
�
\���
��
Z��
�
�
�S����
����
�
\���
��
Z���oO
�
��T���*�%S
���
3
����S
���S������
����
T�����
�
����*���
�S����3
��%
���\�
��
��
������
������ �
"
\��
��������3
�
�
T�b�
���
���
�`���
�
S��U���
�T�
��
I���
Z�
��S����
����3���S���%�
������SS%
U�
����3
��
�
\���
�����3�S����
�������%�
�
���
��
P5Q9
���
���
��*���
�
�
\���
Z�
�8
3
d�@p^��oOB
;
d�@p^��oOB
5
d�@pq��oO
�
Z�
��
��
!�
A�
=
@�
oO
q��
^��
��
n��
���
!��
���
���
Z��
�
�
Z
!
���������
�� ����
������
����
���������
�
����
����������
�
����
������
������
����
�����
�
�
��
�����T�
����`���%�
��T��*
�
��
�����S
��3
��`���
���UU�����
�
��
�����
�
��������%�
�����
+p�-eB
Y�[�
��
���
��
�`�
%���
��� ��
�V�����3
�%�
�����
�
���������
�
�
������%
��T����
r�S3
����
�������%�
����d�����\��r�
.�
���� �
��������%
T�����S��
�
��
�����
�
�����
�
U������
��
����
��\�S��
�
\����
#c��`�3
��
��
Bp�⋅1012
�S–2
�T
%
�T
��V�
%
[5].)
&��
���3
���
�
��\��S
���`��
��V�����
�
���*���
�S��*a�3
���
��
�����
�
���
��T���
����
U������
������
������
+����������
����T���
��TS�\���
*
����`���
�
��S�b*�
U�
������
�
\���
�S����
�������%�
����S�
R6
�����
#3P5Q9
�
��b����
��Zd���
S�S�
������
������
����
�����
Z�Z dZ�Z^
�S_�
�
�����\3
���
*�
����d����
�S�e#Ff�'�
"
S�`��
�
���*��
T�����S��
*
��
�����
�
�S3
����
�������%�
�����
�
U������
������
+O,")sc"F/..MH
+O�"W.+&+
Z� /������
�����
�
S��������
������
e
,��
����
.�
/���3
������
(�
(���S����d
-�8
-���
Zq^^�
�� t:D9@>;C>;
u�
P��
t6;9=v
w�
P5Q9
<6>7x3><<>=E
E;5D969Ey;9
z6Ev
6yD
64@75DE>x
=v5DD>79
ee
27>=E;yD�
{>EE�d
Zq ��_
|y7�
q�
w
���d
}�
� d� ^�
�� K�
��
c�
~��
"�����*��
O�
/��
��V�����
G�
F�
+S���*��%�
��T��3
�%�
�
\��
�����3�S����
�������%�
���������������%�
S�
����3
���
ee
c���V�\��
����
�����
�������d
Zq^��d
�
n�d
O�
�d!^�
!� �54:;5
Q��
�>Dy�545
���
w69v66
��
>E
57�
w>z
;5@6x
Ev>;457
5DD>576DC
<y;
P5Q9
x6C6E57
6DE>C;5E>x
=6;=:6E9
ee
��
Q@@7�
}v�9�d
Zq^ �d
|y7�
n��
w
��d
}�
ZZ��dZZ� �
�� �;69E
��
���
{yy�
��
��
Q=E6A5E6yD
><<6=6>D=6>9
<y;
5
9E5Dx5;x
�:576<6=5E6yD
64@75DE
6D
P5Q9
5DD>57>x
��
5
;5@6x
Ev>;457
@;y=>99
ee
��
27>=E;yD�
�5E>;�d
Zqq��d
|y7�
Zq�
w
^�d
}�
�d n�
n� O�������
K�
F��
���`��
/�
~��
+\���
+�
+�
�
���
-������3
T���
��
������
U�
������
�
\���
���������������%�
����
��
0"����1
ee
r���������
�
����
����������
�
����
������
������3
���r�d
�����d
�
n�d
O�
!�d! �
�
���`��
"�
~��
�\���
��
���
&� �
O�
K�
�
���
/�
�S�
�T������
��S�����
��
������\���
����
��U�T�`���
����
����
��
��������3
����������
S�
�������
ee
cV�
�����
����*
L�T�3S�����`�
��3
�
�S�
K�
F�
&��������
O���
0L�T�`��
S�
���
�
T���V�
���
����
��������b�
S�
�������
�
����V��1�d
�����d
F���
�d
O�
���d�!��
��
�����������
��� ��
��\�S��
�
\���
#
�S3
����
���
�
���
��*���
*'
��
����S�
�%
�S����
���3
����%�
�����
#������
�����
�
�����\���
*
����
�3
����
��b���
�S����
����������
��� '
�T
�S����
�3
��������
���
��\��S
U������
����
��%
V%��
�%��3
��
�
��
q
�V��T���
��TS���S�
���S����
^×^
SS
��
���������
����������
�TS�������
"
\��
���������
���
�S����
����
̂ ���
̂ ��
�
q��oO
�
���
��*���
�
�
3
\���
�
�
Z�
�
��
��\���
�S����
��%�
#.�
����
��������
���S��
�S����
����3���S�����
������SS%
�
\���
���
���
��*���
�
Z�
��'
,�������*��
�
�
�S�
�V��T��S�
�
\������*
��\�
�V��T�%
��
���������3
��
��b��%
�S����
����������
���
�
���U��
���3
���������
������
�����
����
�����
,����
�
\���
��
��\�%�
����������
�V��T��
��3
������
S������ �*����S
���
��
%
�T
������
�Dg�m�>
�
��
��%�
T�
�S
�
\�����
���
�S����
���
!��oO
�
�`����
Z
S��
�
�
S��U���
�T�
��
&�����
����
�
�����\���
*
����
����
������3
� ���*
�T
��T��*
�
��
����������
�TS�������
+TS�3
����
���������
��
�
�����
���
S�
�����
��
���
�3
���S
���
�
S����
��S
����
Z
��
�
���U��������
F��3���3,��
���
��S��
���
�S����
���
��
S������3
T���������
��
������
hN���3���k
Y [�
��!"#$�%�� � �&�"'�����
,��
�S���*���S
���������
��S
U�
����S
�
\�3
��
�V��T��
���������
�
��
���
��b����
������
���
`���
�������
�
\���
���������
�
������
U�T��
,�
���������
�
�V%`�%S
��S�`����S
�
\���S
���3
����
�����
�����
��U��
���
�
���
��%
�������
T��3
`�
��*��
V%�
���
#��� ���
���
��
������'�
�
���
�3
S�
U�
���%�
�
\��
��
�������\���
�
T��`�
��*�%S
��UU�T�%S
��TS%�����S
���U��
�S����
������3
���
���S����
�
��S��
��������
�%T%���
T��`�
��*��
S��*a��
��T��\����
���������
�
S�
�������
I�T��*
�
%
������������
��T��`�%�
�������
�
3
\���
��
�����
��
�S����
�������%�
R6
�����
�3P5Q9
��������%
�
�%&#�(��
���
U�����
��������%�
�����B
�S����
���
�
\���B
���
��*���
*
�
\���B
������
���������
������
����
����
������
Ce=DfE
t
'B
�UU��
����
��b���
�S����
����������
��� B
T�� �
����
����B
���UU�����
N����B
�����\���
*
����
������
B�d
@
�
\�d
A
�
\
d
�-
d
�-
p
C�d
'
d
E
t�d
µ
d
��.��'�.F�(�����(�#$���(.�����FG� !�.%��%.
#�!$'�
������H�� �� (H�
�,
��
–2
����,
°�
t���,
�
���
�
��
��
ns,
��
–2
µ,
��
2
���⋅��
800 5 AG1-800-5 1,43⋅1013 2040
850 5 AG1-850-5 1,91⋅1013 1980 1014
900 5 AG1-900-5 2,36⋅1013 1800
800 10 AG1-800-10 1,7⋅1013 1940
850 10 AG1-850-10 2,02⋅1013 1840 1014
900 10 AG1-900-10 2,29⋅1013 1700
800 5 AG2-800-5 1,13⋅1013 2090
850 5 AG2-850-5 1,43⋅1013 2030 5⋅1014
900 5 AG2-900-5 1,57⋅1013 2010
800 10 AG2-800-10 1,22⋅1013 2150
850 10 AG2-850-10 1,48⋅1013 2050 5⋅1014
900 10 AG2-900-10 1,64⋅1013 1930
850 5 AG3-850-5 5,37⋅1012 1450
3⋅1013
900 5 AG3-900-5 9,87⋅1012 1800
800 10 AG3-800-10 4,72⋅1012 1920
850 10 AG3-850-10 7,34⋅1012 1780 3⋅1013
900 10 AG3-900-10 1,3⋅1013 1520
I���
��
c�����S��
*
��
�����
�
�����
�
U������
��
�S����
�������%�
R6
���3
��
P5Q9
���
��\�S��
�
\���
@pq��oO�
Ap�
�
#3'
�
@p^��oO�
ApZ�
�
#;'
Z�Z�
Z�Z�
Z�Z!
B�
=_�
��
�
��
���
���
��!
���
���
��Z
���
�
Z
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53563 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:11:59Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Бончик, А.Ю. Ижнин, И.И. Кияк, С.Г. Савицкий, Г.В. 2014-01-22T23:00:56Z 2014-01-22T23:00:56Z 2005 Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53563 Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с). ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si Вплив режимів іонного легування та фотонного відпалу на параметри імплантованих шарів n-GaAs:Si Influence of ion doping and photon annealing modes on properties of n-GaAs:Si implanted layers Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si Бончик, А.Ю. Ижнин, И.И. Кияк, С.Г. Савицкий, Г.В. Материалы для микроэлектроники |
| title | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_alt | Вплив режимів іонного легування та фотонного відпалу на параметри імплантованих шарів n-GaAs:Si Influence of ion doping and photon annealing modes on properties of n-GaAs:Si implanted layers |
| title_full | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_fullStr | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_full_unstemmed | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_short | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_sort | влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-gaas:si |
| topic | Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet | Материалы для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53563 |
| work_keys_str_mv | AT bončikaû vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi AT ižninii vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi AT kiâksg vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi AT savickiigv vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi AT bončikaû vplivrežimívíonnogoleguvannâtafotonnogovídpalunaparametriímplantovanihšarívngaassi AT ižninii vplivrežimívíonnogoleguvannâtafotonnogovídpalunaparametriímplantovanihšarívngaassi AT kiâksg vplivrežimívíonnogoleguvannâtafotonnogovídpalunaparametriímplantovanihšarívngaassi AT savickiigv vplivrežimívíonnogoleguvannâtafotonnogovídpalunaparametriímplantovanihšarívngaassi AT bončikaû influenceofiondopingandphotonannealingmodesonpropertiesofngaassiimplantedlayers AT ižninii influenceofiondopingandphotonannealingmodesonpropertiesofngaassiimplantedlayers AT kiâksg influenceofiondopingandphotonannealingmodesonpropertiesofngaassiimplantedlayers AT savickiigv influenceofiondopingandphotonannealingmodesonpropertiesofngaassiimplantedlayers |