Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53563 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862717805963509760 |
|---|---|
| author | Бончик, А.Ю. Ижнин, И.И. Кияк, С.Г. Савицкий, Г.В. |
| author_facet | Бончик, А.Ю. Ижнин, И.И. Кияк, С.Г. Савицкий, Г.В. |
| citation_txt | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:11:59Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53563 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:11:59Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Бончик, А.Ю. Ижнин, И.И. Кияк, С.Г. Савицкий, Г.В. 2014-01-22T23:00:56Z 2014-01-22T23:00:56Z 2005 Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53563 Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с). ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si Вплив режимів іонного легування та фотонного відпалу на параметри імплантованих шарів n-GaAs:Si Influence of ion doping and photon annealing modes on properties of n-GaAs:Si implanted layers Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si Бончик, А.Ю. Ижнин, И.И. Кияк, С.Г. Савицкий, Г.В. Материалы для микроэлектроники |
| title | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_alt | Вплив режимів іонного легування та фотонного відпалу на параметри імплантованих шарів n-GaAs:Si Influence of ion doping and photon annealing modes on properties of n-GaAs:Si implanted layers |
| title_full | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_fullStr | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_full_unstemmed | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_short | Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si |
| title_sort | влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-gaas:si |
| topic | Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet | Материалы для микроэлектроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53563 |
| work_keys_str_mv | AT bončikaû vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi AT ižninii vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi AT kiâksg vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi AT savickiigv vliânierežimovionnogolegirovaniâifotonnogootžiganaparametryimplantirovannyhsloevngaassi AT bončikaû vplivrežimívíonnogoleguvannâtafotonnogovídpalunaparametriímplantovanihšarívngaassi AT ižninii vplivrežimívíonnogoleguvannâtafotonnogovídpalunaparametriímplantovanihšarívngaassi AT kiâksg vplivrežimívíonnogoleguvannâtafotonnogovídpalunaparametriímplantovanihšarívngaassi AT savickiigv vplivrežimívíonnogoleguvannâtafotonnogovídpalunaparametriímplantovanihšarívngaassi AT bončikaû influenceofiondopingandphotonannealingmodesonpropertiesofngaassiimplantedlayers AT ižninii influenceofiondopingandphotonannealingmodesonpropertiesofngaassiimplantedlayers AT kiâksg influenceofiondopingandphotonannealingmodesonpropertiesofngaassiimplantedlayers AT savickiigv influenceofiondopingandphotonannealingmodesonpropertiesofngaassiimplantedlayers |