Buchumschlag

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2005
Hauptverfasser: Бончик, А.Ю., Ижнин, И.И., Кияк, С.Г., Савицкий, Г.В.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Schlagworte:
Материалы для микроэлектроники
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53563
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Ähnliche Einträge