Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2005
• Автори: Бончик, А.Ю., Ижнин, И.И., Кияк, С.Г., Савицкий, Г.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
• Теми: Материалы для микроэлектроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53563
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 3-4. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Показана возможность получения слоев n-GaAs на полуизолирующем GaAs толщиной 0,1-0,3 мкм с концентрацией электронов 10¹⁷-10¹⁸ см⁻³ и подвижностью 2000—3000 см²/(В•с).