Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs

Описана разработанная установка и методика электрохимического профилирования многослойных эпитаксиальных структур n-GaAs.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2005
Hauptverfasser:	Вакив, Н.М., Завербный, И.Р., Заячук, Д.М., Круковский, С.И., Мрыхин, И.О.
Format:	Artikel
Sprache:	Russian
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Schlagworte:	Новое технологическое оборудование для микроэлектроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53574
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs / Н.М. Вакив, И.Р. Завербный, Д.М. Заячук, С.И. Круковский, И.О. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 40-45. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Schreiben Sie den ersten Kommentar!