Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
Определены параметры кремниевых диффузионных резисторов, необходимые для расчета их конструктивных и эксплуатационных характеристик. Предложена физическая модель, описывающая закономерности, происходящие в резисторах....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53626 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности / В.В. Кушниренко, Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк, Л.Д. Коноваленко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 23-26. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |