Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
Разработан макетный образец монолитного твердотельного микрочипового лазера с пассивной модуляцией добротности па основе Nd:АИГ/Сr⁺⁴:АИГ с применением метода жидкофазной эпитаксии....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53680 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr⁺⁴:АИГ / И.И. Ижнин, Н.М. Вакив, А.И. Ижнин, И.М. Сыворотка, С.Б. Убизский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |