Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2005
• Автори: Ижнин, И.И., Вакив, Н.М., Ижнин, А.И., Сыворотка, И.М., Убизский, С.Б.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
• Теми: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53680
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr⁺⁴:АИГ / И.И. Ижнин, Н.М. Вакив, А.И. Ижнин, И.М. Сыворотка, С.Б. Убизский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Разработан макетный образец монолитного твердотельного микрочипового лазера с пассивной модуляцией добротности па основе Nd:АИГ/Сr⁺⁴:АИГ с применением метода жидкофазной эпитаксии....