СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2005
• Main Authors: Григорьянц, В.В., Долгов, А.П., Кочмарёв, Л.Ю., Шилов, И.П.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
• Subjects: Технологические процессы и оборудование
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53682
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов / В.В. Григорьянц, А.П. Долгов, Л.Ю. Кочмарёв, И.П. Шилов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Представлены результаты разработки технологии и исследования оптических характеристик высокоапертурных ПОВ на основе SiO₂-F | SiO₂ | SiO₂-F-структур, формируемых в плазме СВЧ-разряда....