Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2005
• Main Authors: Борисенко, А.Г., Полозов, Б.П., Федорович, О.А., Болтовец, Н.С., Иванов, В.Н., Свешников, Ю.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
• Subjects: Технологические процессы и оборудование
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53683
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия / А.Г. Борисенко, Б.П. Полозов, О.А. Федорович, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Ю.Н. Свешников // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 42-46. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Описаны особенности технологии травления сложных наноструктур, содержащих эпитаксиальные слои нитрида галлия, нанесенные на подложки из сапфира. Изготовлены высокотемпературные датчики Холла....