Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия

Описаны особенности технологии травления сложных наноструктур, содержащих эпитаксиальные слои нитрида галлия, нанесенные на подложки из сапфира. Изготовлены высокотемпературные датчики Холла....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2005
Hauptverfasser: Борисенко, А.Г., Полозов, Б.П., Федорович, О.А., Болтовец, Н.С., Иванов, В.Н., Свешников, Ю.Н.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53683
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия / А.Г. Борисенко, Б.П. Полозов, О.А. Федорович, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Ю.Н. Свешников // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 42-46. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-53683
record_format dspace
spelling Борисенко, А.Г.
Полозов, Б.П.
Федорович, О.А.
Болтовец, Н.С.
Иванов, В.Н.
Свешников, Ю.Н.
2014-01-25T21:21:15Z
2014-01-25T21:21:15Z
2005
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия / А.Г. Борисенко, Б.П. Полозов, О.А. Федорович, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Ю.Н. Свешников // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 42-46. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53683
Описаны особенности технологии травления сложных наноструктур, содержащих эпитаксиальные слои нитрида галлия, нанесенные на подложки из сапфира. Изготовлены высокотемпературные датчики Холла.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Технологические процессы и оборудование
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
Плазмохімічне травлення епітаксійних структур нітріда галію
Plasmochemical etching of epitaxial nitride gallium structures
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
spellingShingle Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
Борисенко, А.Г.
Полозов, Б.П.
Федорович, О.А.
Болтовец, Н.С.
Иванов, В.Н.
Свешников, Ю.Н.
Технологические процессы и оборудование
title_short Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
title_full Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
title_fullStr Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
title_full_unstemmed Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
title_sort плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
author Борисенко, А.Г.
Полозов, Б.П.
Федорович, О.А.
Болтовец, Н.С.
Иванов, В.Н.
Свешников, Ю.Н.
author_facet Борисенко, А.Г.
Полозов, Б.П.
Федорович, О.А.
Болтовец, Н.С.
Иванов, В.Н.
Свешников, Ю.Н.
topic Технологические процессы и оборудование
topic_facet Технологические процессы и оборудование
publishDate 2005
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Плазмохімічне травлення епітаксійних структур нітріда галію
Plasmochemical etching of epitaxial nitride gallium structures
description Описаны особенности технологии травления сложных наноструктур, содержащих эпитаксиальные слои нитрида галлия, нанесенные на подложки из сапфира. Изготовлены высокотемпературные датчики Холла.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53683
citation_txt Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия / А.Г. Борисенко, Б.П. Полозов, О.А. Федорович, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Ю.Н. Свешников // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 42-46. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT borisenkoag plazmohimičeskoetravlenieépitaksialʹnyhstrukturnitridagalliâ
AT polozovbp plazmohimičeskoetravlenieépitaksialʹnyhstrukturnitridagalliâ
AT fedorovičoa plazmohimičeskoetravlenieépitaksialʹnyhstrukturnitridagalliâ
AT boltovecns plazmohimičeskoetravlenieépitaksialʹnyhstrukturnitridagalliâ
AT ivanovvn plazmohimičeskoetravlenieépitaksialʹnyhstrukturnitridagalliâ
AT svešnikovûn plazmohimičeskoetravlenieépitaksialʹnyhstrukturnitridagalliâ
AT borisenkoag plazmohímíčnetravlennâepítaksíinihstrukturnítrídagalíû
AT polozovbp plazmohímíčnetravlennâepítaksíinihstrukturnítrídagalíû
AT fedorovičoa plazmohímíčnetravlennâepítaksíinihstrukturnítrídagalíû
AT boltovecns plazmohímíčnetravlennâepítaksíinihstrukturnítrídagalíû
AT ivanovvn plazmohímíčnetravlennâepítaksíinihstrukturnítrídagalíû
AT svešnikovûn plazmohímíčnetravlennâepítaksíinihstrukturnítrídagalíû
AT borisenkoag plasmochemicaletchingofepitaxialnitridegalliumstructures
AT polozovbp plasmochemicaletchingofepitaxialnitridegalliumstructures
AT fedorovičoa plasmochemicaletchingofepitaxialnitridegalliumstructures
AT boltovecns plasmochemicaletchingofepitaxialnitridegalliumstructures
AT ivanovvn plasmochemicaletchingofepitaxialnitridegalliumstructures
AT svešnikovûn plasmochemicaletchingofepitaxialnitridegalliumstructures
first_indexed 2025-12-07T15:46:58Z
last_indexed 2025-12-07T15:46:58Z
_version_ 1850865005375782912