Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
Описаны особенности технологии травления сложных наноструктур, содержащих эпитаксиальные слои нитрида галлия, нанесенные на подложки из сапфира. Изготовлены высокотемпературные датчики Холла....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | Борисенко, А.Г., Полозов, Б.П., Федорович, О.А., Болтовец, Н.С., Иванов, В.Н., Свешников, Ю.Н. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53683 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия / А.Г. Борисенко, Б.П. Полозов, О.А. Федорович, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Ю.Н. Свешников // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 42-46. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
за авторством: Григорьянц, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Григорьянц, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (1998)
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (1998)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Федорович, О.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Федорович, О.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2007)
Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
за авторством: Гладковский, В.В., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Гладковский, В.В., та інші
Опубліковано: (2014)
Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
за авторством: Пилипенко, В.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Пилипенко, В.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
за авторством: Ткачук, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ткачук, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)
Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
за авторством: Бойко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Бойко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
за авторством: Баранов, В.В.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Баранов, В.В.
Опубліковано: (2005)
Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур
за авторством: Макара, В.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Макара, В.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
за авторством: Борисенко, А.Г.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Борисенко, А.Г.
Опубліковано: (2013)
Автоматизированная система регистрации циклов при вибрационных испытаниях образца
за авторством: Усов, В.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Усов, В.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
за авторством: Дудин, С.В.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Дудин, С.В.
Опубліковано: (2006)
Технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе
за авторством: Плис, Н.И., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Плис, Н.И., та інші
Опубліковано: (2010)
Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
за авторством: Тыныныка, А.Н
Опубліковано: (2016)
за авторством: Тыныныка, А.Н
Опубліковано: (2016)
Вычисление дифракционной составляющей глубины резко изображаемого пространства в оптическом микроскопе
за авторством: Боровицкий, В.Н.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Боровицкий, В.Н.
Опубліковано: (2007)
Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
за авторством: Динев, Д.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Динев, Д.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)
Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2007)
Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Зяблюк, К.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Зяблюк, К.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
за авторством: Рудякова, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Рудякова, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Приборное обеспечение измерения параметров ультразвуковых воздействий в технологических процессах
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2008)
Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2008)
Метод защиты поверхности расплавленного припоя от окисления
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
Позиционирование изображений фотошаблонов в системах автоматизированного оптического контроля
за авторством: Крылов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Крылов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
за авторством: Павлович, И.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Павлович, И.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Сравнительный анализ методов сборки микросхем на гибких полиимидных носителях
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2013)
Схожі ресурси
-
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005) -
СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
за авторством: Григорьянц, В.В., та інші
Опубліковано: (2005) -
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009) -
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013) -
Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
за авторством: Новосядлый, С.П.
Опубліковано: (1998)