Зображення обкладинки

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия

Описаны особенности технологии травления сложных наноструктур, содержащих эпитаксиальные слои нитрида галлия, нанесенные на подложки из сапфира. Изготовлены высокотемпературные датчики Холла....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2005
Автори:	Борисенко, А.Г., Полозов, Б.П., Федорович, О.А., Болтовец, Н.С., Иванов, В.Н., Свешников, Ю.Н.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2005
Теми:	Технологические процессы и оборудование
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53683
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия / А.Г. Борисенко, Б.П. Полозов, О.А. Федорович, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Ю.Н. Свешников // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 42-46. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
за авторством: Григорьянц, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Федорович, О.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
за авторством: Гладковский, В.В., та інші
Опубліковано: (2014)

Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
за авторством: Ткачук, А.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
за авторством: Бойко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)

Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
за авторством: Баранов, В.В.
Опубліковано: (2005)

Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур
за авторством: Макара, В.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
за авторством: Борисенко, А.Г.
Опубліковано: (2013)

Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
за авторством: Дудин, С.В.
Опубліковано: (2006)

Автоматизированная система регистрации циклов при вибрационных испытаниях образца
за авторством: Усов, В.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе
за авторством: Плис, Н.И., та інші
Опубліковано: (2010)

Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
за авторством: Тыныныка, А.Н
Опубліковано: (2016)

Вычисление дифракционной составляющей глубины резко изображаемого пространства в оптическом микроскопе
за авторством: Боровицкий, В.Н.
Опубліковано: (2007)

Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
за авторством: Динев, Д.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Формирование наноструктурированных пленок иридия и поликластерного алмаза
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2007)

Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2006)

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Зяблюк, К.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)

Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
за авторством: Рудякова, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)

Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2008)

Приборное обеспечение измерения параметров ультразвуковых воздействий в технологических процессах
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2008)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
за авторством: Джангидзе, Л.Б., та інші
Опубліковано: (2009)

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
за авторством: Павлович, И.И., та інші
Опубліковано: (2011)

Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
за авторством: Александров, С.Б., та інші
Опубліковано: (2011)

Сравнительный анализ методов сборки микросхем на гибких полиимидных носителях
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2013)

Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Информационные параметры для реализации адаптивной зарядки вторичных химических источников тока
за авторством: Житник, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2008)

Повышение помехоустойчивости бинаризации изображений фотошаблонов в пространстве вейвлет-преобразования
за авторством: Щербакова, Г.Ю., та інші
Опубліковано: (2011)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Источник магнитных полей сложной энергочастотной и поляризационной структуры
за авторством: Житник, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2008)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2011)