Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения

На основе физических параметров, критичных для детектирующей способности детектора, проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой.

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2004
Main Authors: Абызов, А.С., Ажажа, В.М., Давыдов, Л.Н., Ковтун, Г.П., Кутний, В.Е., Рыбка, А.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/54419
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения / А.С. Абызов, В.М. Ажажа, Л.Н. Давыдов, Г.П. Ковтун, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine