Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
На основе физических параметров, критичных для детектирующей способности детектора, проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой.
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/54419 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения / А.С. Абызов, В.М. Ажажа, Л.Н. Давыдов, Г.П. Ковтун, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-54419 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Абызов, А.С. Ажажа, В.М. Давыдов, Л.Н. Ковтун, Г.П. Кутний, В.Е. Рыбка, А.В. 2014-02-01T21:19:48Z 2014-02-01T21:19:48Z 2004 Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения / А.С. Абызов, В.М. Ажажа, Л.Н. Давыдов, Г.П. Ковтун, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/54419 На основе физических параметров, критичных для детектирующей способности детектора, проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы для микроэлектроники Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения Вибір напівпровідникового матеріалу для детекторів гамма-випромінювання Selection of semiconductor material for gamma-radiation detectors Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения |
| spellingShingle |
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения Абызов, А.С. Ажажа, В.М. Давыдов, Л.Н. Ковтун, Г.П. Кутний, В.Е. Рыбка, А.В. Материалы для микроэлектроники |
| title_short |
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения |
| title_full |
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения |
| title_fullStr |
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения |
| title_full_unstemmed |
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения |
| title_sort |
выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения |
| author |
Абызов, А.С. Ажажа, В.М. Давыдов, Л.Н. Ковтун, Г.П. Кутний, В.Е. Рыбка, А.В. |
| author_facet |
Абызов, А.С. Ажажа, В.М. Давыдов, Л.Н. Ковтун, Г.П. Кутний, В.Е. Рыбка, А.В. |
| topic |
Материалы для микроэлектроники |
| topic_facet |
Материалы для микроэлектроники |
| publishDate |
2004 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вибір напівпровідникового матеріалу для детекторів гамма-випромінювання Selection of semiconductor material for gamma-radiation detectors |
| description |
На основе физических параметров, критичных для детектирующей способности детектора, проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/54419 |
| citation_txt |
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения / А.С. Абызов, В.М. Ажажа, Л.Н. Давыдов, Г.П. Ковтун, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT abyzovas vyborpoluprovodnikovogomaterialadlâdetektorovgammaizlučeniâ AT ažažavm vyborpoluprovodnikovogomaterialadlâdetektorovgammaizlučeniâ AT davydovln vyborpoluprovodnikovogomaterialadlâdetektorovgammaizlučeniâ AT kovtungp vyborpoluprovodnikovogomaterialadlâdetektorovgammaizlučeniâ AT kutniive vyborpoluprovodnikovogomaterialadlâdetektorovgammaizlučeniâ AT rybkaav vyborpoluprovodnikovogomaterialadlâdetektorovgammaizlučeniâ AT abyzovas vibírnapívprovídnikovogomateríaludlâdetektorívgammavipromínûvannâ AT ažažavm vibírnapívprovídnikovogomateríaludlâdetektorívgammavipromínûvannâ AT davydovln vibírnapívprovídnikovogomateríaludlâdetektorívgammavipromínûvannâ AT kovtungp vibírnapívprovídnikovogomateríaludlâdetektorívgammavipromínûvannâ AT kutniive vibírnapívprovídnikovogomateríaludlâdetektorívgammavipromínûvannâ AT rybkaav vibírnapívprovídnikovogomateríaludlâdetektorívgammavipromínûvannâ AT abyzovas selectionofsemiconductormaterialforgammaradiationdetectors AT ažažavm selectionofsemiconductormaterialforgammaradiationdetectors AT davydovln selectionofsemiconductormaterialforgammaradiationdetectors AT kovtungp selectionofsemiconductormaterialforgammaradiationdetectors AT kutniive selectionofsemiconductormaterialforgammaradiationdetectors AT rybkaav selectionofsemiconductormaterialforgammaradiationdetectors |
| first_indexed |
2025-12-07T13:22:18Z |
| last_indexed |
2025-12-07T13:22:18Z |
| _version_ |
1850855902991613952 |