Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
На основе физических параметров, критичных для детектирующей способности детектора, проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой.
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| ISSN: | 2225-5818 |
| Main Authors: | Абызов, А.С., Ажажа, В.М., Давыдов, Л.Н., Ковтун, Г.П., Кутний, В.Е., Рыбка, А.В. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/54419 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения / А.С. Абызов, В.М. Ажажа, Л.Н. Давыдов, Г.П. Ковтун, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
by: Abyzov, A. S., et al.
Published: (2004)
by: Abyzov, A. S., et al.
Published: (2004)
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2003)
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2003)
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
by: Ажажа, В.М., et al.
Published: (2002)
by: Ажажа, В.М., et al.
Published: (2002)
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2001)
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2001)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2004)
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2004)
Получение высокочистых галлия, цинка, кадмия и теллура для микроэлектроники
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)
Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2005)
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2005)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2004)
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2004)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
by: Кутний, В.Е., et al.
Published: (2005)
by: Кутний, В.Е., et al.
Published: (2005)
Измерительный комплекс для определения фотоэлектрических параметров приемников излучения
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2004)
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2004)
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2003)
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2003)
Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2007)
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2007)
Дозиметрические характеристики детекторов рентгеновского и гамма-излучения на основе (CdZnTe)
by: Рыбка, А.В., et al.
Published: (2000)
by: Рыбка, А.В., et al.
Published: (2000)
Ультрадисперсные субфазы в молекулярной электронике
by: Ковальчук, В.В.
Published: (2002)
by: Ковальчук, В.В.
Published: (2002)
Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
by: Завадский, В.А., et al.
Published: (2001)
by: Завадский, В.А., et al.
Published: (2001)
Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
by: Завадский, В.А., et al.
Published: (2002)
by: Завадский, В.А., et al.
Published: (2002)
Газостатическая обработка структур Au-CdZnTe-Au для детекторов рентгеновского и гамма-излучения
by: Кутний, В.Е., et al.
Published: (2008)
by: Кутний, В.Е., et al.
Published: (2008)
Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры
by: Орлов, В.Д., et al.
Published: (2001)
by: Орлов, В.Д., et al.
Published: (2001)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
by: Марончук, И.Е., et al.
Published: (2003)
by: Марончук, И.Е., et al.
Published: (2003)
Способы прогнозирования параметров стеклокерамики с межфазным слоем
by: Дмитриев, М.В.
Published: (2001)
by: Дмитриев, М.В.
Published: (2001)
Токопроводящий клей на основе порошка меди
by: Каркина, Е.А., et al.
Published: (2001)
by: Каркина, Е.А., et al.
Published: (2001)
Математическое моделирование деградации керамических терморезисторов с отрицательным ТКС
by: Балицкая, В.А., et al.
Published: (2002)
by: Балицкая, В.А., et al.
Published: (2002)
Кремниевые МДП-структуры с оксидами редкоземельных элементов в качестве диэлектрика
by: Курмашев, Ш.Д., et al.
Published: (2001)
by: Курмашев, Ш.Д., et al.
Published: (2001)
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2002)
by: Косяченко, Л.А., et al.
Published: (2002)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
by: Бончик, А.Ю., et al.
Published: (2005)
by: Бончик, А.Ю., et al.
Published: (2005)
Собственные полупроводники группы A³₂B⁶₃ как перспективные материалы для радиационно стойкой электроники
by: Королюк, С.Л., et al.
Published: (2001)
by: Королюк, С.Л., et al.
Published: (2001)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 4. Особенности экспоненциальной кинетики
by: Балицкая, В.А., et al.
Published: (2005)
by: Балицкая, В.А., et al.
Published: (2005)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 3. Бимолекулярная кинетика затухания радиационных эффектов в ХСП
by: Вакив, Н.М.
Published: (2004)
by: Вакив, Н.М.
Published: (2004)
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2003)
by: Дружинин, А.А., et al.
Published: (2003)
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2004)
by: Власенко, А.И., et al.
Published: (2004)
Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
by: Олих, Я.М., et al.
Published: (2004)
by: Олих, Я.М., et al.
Published: (2004)
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)
by: Ковтун, Г.П., et al.
Published: (2001)
Анализ характеристик электроохладителей для ОЧГ-детекторов гамма-излучения
by: Соколов, А.Д., et al.
Published: (2015)
by: Соколов, А.Д., et al.
Published: (2015)
Выбор оптимального полупроводникового гамма-детектора при определении содержания радионуклидов чернобыльского генезиса
by: Калиновский, А.К.
Published: (2014)
by: Калиновский, А.К.
Published: (2014)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2008)
by: Zakharchenko, A. A., et al.
Published: (2008)
Конструкционные материалы с покрытиями в узлах технологического оборудования
by: Дудник, С.Ф., et al.
Published: (2001)
by: Дудник, С.Ф., et al.
Published: (2001)
Диодные реакторные системы микротравления
by: Фареник, В.И.
Published: (2002)
by: Фареник, В.И.
Published: (2002)
Оборудование для зондовой диагностики и контроля плазменных технологических процессов
by: Дудин, С.В., et al.
Published: (2002)
by: Дудин, С.В., et al.
Published: (2002)
Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники
by: Дунаенко, А.Х., et al.
Published: (2003)
by: Дунаенко, А.Х., et al.
Published: (2003)
Similar Items
-
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
by: Abyzov, A. S., et al.
Published: (2004) -
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2003) -
Комплексный подход к получению высокочистых материалов для микроэлектроники
by: Ажажа, В.М., et al.
Published: (2002) -
Обработка монокристаллов Сd–Zn–Te для применения в датчиках γ-излучения
by: Мокрицкий, В.А., et al.
Published: (2001) -
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2004)