Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2004
• Hauptverfasser: Абызов, А.С., Ажажа, В.М., Давыдов, Л.Н., Ковтун, Г.П., Кутний, В.Е., Рыбка, А.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
• Schlagworte: Материалы для микроэлектроники
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/54419
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения / А.С. Абызов, В.М. Ажажа, Л.Н. Давыдов, Г.П. Ковтун, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

На основе физических параметров, критичных для детектирующей способности детектора, проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой.