Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов

• Дата: 2004
• Автори: Рюхтин, В.В., Добровольский, Ю.Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2004
• Назва видання: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Теми: Интегральные схемы и полупроводниковые приборы
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56302
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов / В.В. Рюхтин, Ю.Г. Добровольский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 45-48. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Рассмотрены подходы к конструированию лавинных и нелавинных германиевых фотодиодов с применением эпитаксиальных структур и термоэлектрического охлаждения.