Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2013
• Автори: Пилипенко, В.А., Горушко, В.А., Петлицкий, А.Н., Понарядов, В.В., Турцевич, А.С., Шведов, С.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
• Теми: Технологические процессы и оборудование
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56320
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем / В.А. Пилипенко, В.А. Горушко, А.Н. Петлицкий, В.В. Понарядов, А.С. Турцевич, С.В. Шведов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 43-57. — Бібліогр.: 72 назв. — рос.

Увеличение степени интеграции элементной базы предъявляет все более жесткие требования к уменьшению концентрации загрязняющих примесей и окислительных дефектов упаковки в исходных кремниевых пластинах с ее сохранением в технологическом цикле изготовления ИМС. Это обуславливает высокую актуальность применения геттерирования в современной технологии микроэлектроники. В статье рассмотрены существующие методы геттерирования кремниевых пластин и механизмы их протекания. Збільшення ступеня інтеграції елементної бази пред'являє все більш жорсткі вимоги до зменшення концентрації забруднюючих домішок та окислювальних дефектів упаковки у вихідних кремнієвих пластинах за її збереження у технологічному циклі виготовлення ІМС. Це обумовлює високу актуальність застосування гетерування в сучасній технології мікроелектроніки. Розглянуто існуючі методи гетерування кремнієвих пластин та розглянуто механізми їх перебігу. Increasing the degree of integration of hardware components imposes more stringent requirements for the reduction of the concentration of contaminants and oxidation stacking faults in the original silicon wafers with its preservation in the IC manufacturing process cycle. This causes high relevance of the application of gettering in modern microelectronic technology. The existing methods of silicon wafers gettering and the mechanisms of their occurrence are considered.