Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC
Побудовано атомну модель осередку поверхні карбіду кремнію з дефектами. Застосовано пакет програм ABINIT-інструменту nanoHUB з використанням теорії функціонала густини. Встановлено: зі зростанням всебічного тиску найбільшою мірою змінюється внесок локальної електрон-іонної взаємодії у повну енергію...
Saved in:
| Published in: | Физика и техника высоких давлений |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2013
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/69627 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC / В.В. Токій, Д.Л. Савіна, Н.В. Токій // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 2. — С. 114-122. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineBe the first to leave a comment!