Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
Исследованы зависимости технологических характеристик процесса глубокого травления кремния от его операционных параметров. Разработан и оптимизирован процесс глубокого плазменного травления кремния для создания сквозных отверстий с управляемым профилем. Досліджено залежності технологічних характерис...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70538 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов / А.А. Голишников, М.Г. Путря // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 1. — С. 36-41. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |