Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
Исследованы зависимости технологических характеристик процесса глубокого травления кремния от его операционных параметров. Разработан и оптимизирован процесс глубокого плазменного травления кремния для создания сквозных отверстий с управляемым профилем. Досліджено залежності технологічних характерис...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70538 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов / А.А. Голишников, М.Г. Путря // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 1. — С. 36-41. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862669664071450624 |
|---|---|
| author | Голишников, А.А. Путря, М.Г. |
| author_facet | Голишников, А.А. Путря, М.Г. |
| citation_txt | Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов / А.А. Голишников, М.Г. Путря // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 1. — С. 36-41. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследованы зависимости технологических характеристик процесса глубокого травления кремния от его операционных параметров. Разработан и оптимизирован процесс глубокого плазменного травления кремния для создания сквозных отверстий с управляемым профилем.
Досліджено залежності технологічних характеристик процесу глибокого травлення кремнію від його операційних параметрів. Розроблено та оптимізовано процес глибокого плазмового травлення кремнію для створення наскрізних отворів з керованим профілем.
Plasma etch process for thought-silicon via (TSV) formation is one of the most important technological operations in the field of metal connections creation between stacked circuits in 3D assemble technology. TSV formation strongly depends on parameters such as Si-wafer thickness, aspect ratio, type of metallization material, etc. The authors investigate deep silicon plasma etch process for formation of TSV with controllable profile. The influence of process parameters on plasma etch rate, silicon etch selectivity to photoresist and the structure profile are researched in this paper. Technology with etch and passivation steps alternation was used as a method of deep silicon plasma etching. Experimental tool «Platrane-100» with high-density plasma reactor based on high-frequency ion source with transformer coupled plasma was used for deep silicon plasma etching. As actuation gases for deep silicon etching were chosen the following gases: SF₆ was used for the etch stage and CHF₃ was applied on the polymerization stage. As a result of research, the deep plasma etch process has been developed with the following parameters: silicon etch rate 6 μm/min, selectivity to photoresist 60 and structure profile 90±2°. This process provides formation of TSV 370 μm deep and about 120 μm in diameter.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:28:39Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70538 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:28:39Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Голишников, А.А. Путря, М.Г. 2014-11-07T20:19:43Z 2014-11-07T20:19:43Z 2014 Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов / А.А. Голишников, М.Г. Путря // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 1. — С. 36-41. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/tkea2014.1.36 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70538 621.382.002 Исследованы зависимости технологических характеристик процесса глубокого травления кремния от его операционных параметров. Разработан и оптимизирован процесс глубокого плазменного травления кремния для создания сквозных отверстий с управляемым профилем. Досліджено залежності технологічних характеристик процесу глибокого травлення кремнію від його операційних параметрів. Розроблено та оптимізовано процес глибокого плазмового травлення кремнію для створення наскрізних отворів з керованим профілем. Plasma etch process for thought-silicon via (TSV) formation is one of the most important technological operations in the field of metal connections creation between stacked circuits in 3D assemble technology. TSV formation strongly depends on parameters such as Si-wafer thickness, aspect ratio, type of metallization material, etc. The authors investigate deep silicon plasma etch process for formation of TSV with controllable profile. The influence of process parameters on plasma etch rate, silicon etch selectivity to photoresist and the structure profile are researched in this paper. Technology with etch and passivation steps alternation was used as a method of deep silicon plasma etching. Experimental tool «Platrane-100» with high-density plasma reactor based on high-frequency ion source with transformer coupled plasma was used for deep silicon plasma etching. As actuation gases for deep silicon etching were chosen the following gases: SF₆ was used for the etch stage and CHF₃ was applied on the polymerization stage. As a result of research, the deep plasma etch process has been developed with the following parameters: silicon etch rate 6 μm/min, selectivity to photoresist 60 and structure profile 90±2°. This process provides formation of TSV 370 μm deep and about 120 μm in diameter. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов Розробка процесу глибокого плазмового травлення кремнію для технології тривимірної інтеграції кристалів Development of deep silicon plasma etching for 3D integration technology Article published earlier |
| spellingShingle | Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов Голишников, А.А. Путря, М.Г. Технологические процессы и оборудование |
| title | Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов |
| title_alt | Розробка процесу глибокого плазмового травлення кремнію для технології тривимірної інтеграції кристалів Development of deep silicon plasma etching for 3D integration technology |
| title_full | Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов |
| title_fullStr | Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов |
| title_full_unstemmed | Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов |
| title_short | Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов |
| title_sort | разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70538 |
| work_keys_str_mv | AT golišnikovaa razrabotkaprocessaglubokogoplazmennogotravleniâkremniâdlâtehnologiitrehmernoiintegraciikristallov AT putrâmg razrabotkaprocessaglubokogoplazmennogotravleniâkremniâdlâtehnologiitrehmernoiintegraciikristallov AT golišnikovaa rozrobkaprocesuglibokogoplazmovogotravlennâkremníûdlâtehnologíítrivimírnoííntegracííkristalív AT putrâmg rozrobkaprocesuglibokogoplazmovogotravlennâkremníûdlâtehnologíítrivimírnoííntegracííkristalív AT golišnikovaa developmentofdeepsiliconplasmaetchingfor3dintegrationtechnology AT putrâmg developmentofdeepsiliconplasmaetchingfor3dintegrationtechnology |