Использование щелевых резонаторов для проектирования усилителя мощности с манипуляцией гармоник
Предложена и экспериментально проверена схема усилителя мощности инверсного класса F (F⁻¹) на основе GaN-транзистора NPTB00004, работающего на частоте 1,7 ГГц. Новым при этом является использование в схеме трехслойной структуры на основе щелевых резонаторов прямоугольной формы в заземляющей плоскост...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70550 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Использование щелевых резонаторов для проектирования усилителя мощности с манипуляцией гармоник / Ю.В. Рассохина, В.Г. Крыжановский, В.А. Коваленко, P. Colantonio, R. Giofre // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 18-23. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |