Использование щелевых резонаторов для проектирования усилителя мощности с манипуляцией гармоник
Предложена и экспериментально проверена схема усилителя мощности инверсного класса F (F⁻¹) на основе GaN-транзистора NPTB00004, работающего на частоте 1,7 ГГц. Новым при этом является использование в схеме трехслойной структуры на основе щелевых резонаторов прямоугольной формы в заземляющей плоскост...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70550 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Использование щелевых резонаторов для проектирования усилителя мощности с манипуляцией гармоник / Ю.В. Рассохина, В.Г. Крыжановский, В.А. Коваленко, P. Colantonio, R. Giofre // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 18-23. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |