Использование щелевых резонаторов для проектирования усилителя мощности с манипуляцией гармоник
Предложена и экспериментально проверена схема усилителя мощности инверсного класса F (F⁻¹) на основе GaN-транзистора NPTB00004, работающего на частоте 1,7 ГГц. Новым при этом является использование в схеме трехслойной структуры на основе щелевых резонаторов прямоугольной формы в заземляющей плоскост...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70550 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Использование щелевых резонаторов для проектирования усилителя мощности с манипуляцией гармоник / Ю.В. Рассохина, В.Г. Крыжановский, В.А. Коваленко, P. Colantonio, R. Giofre // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 18-23. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |