Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2014
• Автори: Венгер, Е.Ф., Литвин, П.М., Матвеева, Л.А., Митин, В.Ф., Холевчук, В.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Теми: Технологические процессы и оборудование
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70570
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках / Е.Ф. Венгер, П.М. Литвин, Л.А. Матвеева, В.Ф. Митин, В.В. Холевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 39-44. — Бібліогр.: 123 назв. — рос.

Исследована технология конденсации в вакууме тонких нанонеоднородных пленок Ge на полуизолирующие подложки GaAs (100). Использованы методы атомно-силовой микроскопии, оптической спектроскопии, измерения внутренних механических напряжений в пленке и ее электронных свойств. Показана возможность получе...