Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2014
• Hauptverfasser: Венгер, Е.Ф., Литвин, П.М., Матвеева, Л.А., Митин, В.Ф., Холевчук, В.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Schlagworte: Технологические процессы и оборудование
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70570
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках / Е.Ф. Венгер, П.М. Литвин, Л.А. Матвеева, В.Ф. Митин, В.В. Холевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 39-44. — Бібліогр.: 123 назв. — рос.

Исследована технология конденсации в вакууме тонких нанонеоднородных пленок Ge на полуизолирующие подложки GaAs (100). Использованы методы атомно-силовой микроскопии, оптической спектроскопии, измерения внутренних механических напряжений в пленке и ее электронных свойств. Показана возможность получения тонких нанонеоднородных монокристаллических бездислокационных пленок с низким уровнем механических напряжений, двумерной перколяционной электропроводностью и высокой термической чувствительностью, которые могут быть использованы в ИК и электронной технике. Досліджено технологію конденсації у вакуумі тонких нанонеоднорідних плівок Ge на напівізолюючих підкладках GaAs (100). Використано методи атомно-силової мікроскопії, оптичної спектроскопії, вимірювання внутрішніх механічних напружень у плівці та її електронних властивостей. Показано можливість отримання тонких нанонеоднорідних монокристалічних бездислокаційних плівок з низьким рівнем механічних напружень, двомірною перколяційною провідністю та високою термічною чутливістю, які можуть бути використані в інфрачервоній та електронній техніці. Ge thin films condensation in vacuum onto semiinsulating GaAs(100) substrates was investigated. The methods of atomic-force microscopy, optical spectroscopy, measurement of intrinsic mechanical stresses in film, and electronic properties were used for this investigation. It was found that it is possible to obtain thin nanoheterogeneous monocrystalline dislocation-free films with low intrinsic mechanical stresses and two-dimension percolation-type conductivity, as well as high temperature sensitivity that can be used for IR and electronics technologies.