Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
Исследована технология конденсации в вакууме тонких нанонеоднородных пленок Ge на полуизолирующие подложки GaAs (100). Использованы методы атомно-силовой микроскопии, оптической спектроскопии, измерения внутренних механических напряжений в пленке и ее электронных свойств. Показана возможность получе...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70570 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках / Е.Ф. Венгер, П.М. Литвин, Л.А. Матвеева, В.Ф. Митин, В.В. Холевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 39-44. — Бібліогр.: 123 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70570 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Венгер, Е.Ф. Литвин, П.М. Матвеева, Л.А. Митин, В.Ф. Холевчук, В.В. 2014-11-08T13:34:09Z 2014-11-08T13:34:09Z 2014 Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках / Е.Ф. Венгер, П.М. Литвин, Л.А. Матвеева, В.Ф. Митин, В.В. Холевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 39-44. — Бібліогр.: 123 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2014.4.39 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70570 621.315.596 Исследована технология конденсации в вакууме тонких нанонеоднородных пленок Ge на полуизолирующие подложки GaAs (100). Использованы методы атомно-силовой микроскопии, оптической спектроскопии, измерения внутренних механических напряжений в пленке и ее электронных свойств. Показана возможность получения тонких нанонеоднородных монокристаллических бездислокационных пленок с низким уровнем механических напряжений, двумерной перколяционной электропроводностью и высокой термической чувствительностью, которые могут быть использованы в ИК и электронной технике. Досліджено технологію конденсації у вакуумі тонких нанонеоднорідних плівок Ge на напівізолюючих підкладках GaAs (100). Використано методи атомно-силової мікроскопії, оптичної спектроскопії, вимірювання внутрішніх механічних напружень у плівці та її електронних властивостей. Показано можливість отримання тонких нанонеоднорідних монокристалічних бездислокаційних плівок з низьким рівнем механічних напружень, двомірною перколяційною провідністю та високою термічною чутливістю, які можуть бути використані в інфрачервоній та електронній техніці. Ge thin films condensation in vacuum onto semiinsulating GaAs(100) substrates was investigated. The methods of atomic-force microscopy, optical spectroscopy, measurement of intrinsic mechanical stresses in film, and electronic properties were used for this investigation. It was found that it is possible to obtain thin nanoheterogeneous monocrystalline dislocation-free films with low intrinsic mechanical stresses and two-dimension percolation-type conductivity, as well as high temperature sensitivity that can be used for IR and electronics technologies. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках Отримання, властивості та застосування тонких нанонеоднорідних плівок Ge на GaAs-підкладках Fabrication, properties and application of Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках |
| spellingShingle |
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках Венгер, Е.Ф. Литвин, П.М. Матвеева, Л.А. Митин, В.Ф. Холевчук, В.В. Технологические процессы и оборудование |
| title_short |
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках |
| title_full |
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках |
| title_fullStr |
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках |
| title_full_unstemmed |
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках |
| title_sort |
получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок ge на gaas-подложках |
| author |
Венгер, Е.Ф. Литвин, П.М. Матвеева, Л.А. Митин, В.Ф. Холевчук, В.В. |
| author_facet |
Венгер, Е.Ф. Литвин, П.М. Матвеева, Л.А. Митин, В.Ф. Холевчук, В.В. |
| topic |
Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
| publishDate |
2014 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Отримання, властивості та застосування тонких нанонеоднорідних плівок Ge на GaAs-підкладках Fabrication, properties and application of Ge-on-GaAs thin nanoheterogeneous films |
| description |
Исследована технология конденсации в вакууме тонких нанонеоднородных пленок Ge на полуизолирующие подложки GaAs (100). Использованы методы атомно-силовой микроскопии, оптической спектроскопии, измерения внутренних механических напряжений в пленке и ее электронных свойств. Показана возможность получения тонких нанонеоднородных монокристаллических бездислокационных пленок с низким уровнем механических напряжений, двумерной перколяционной электропроводностью и высокой термической чувствительностью, которые могут быть использованы в ИК и электронной технике.
Досліджено технологію конденсації у вакуумі тонких нанонеоднорідних плівок Ge на напівізолюючих підкладках GaAs (100). Використано методи атомно-силової мікроскопії, оптичної спектроскопії, вимірювання внутрішніх механічних напружень у плівці та її електронних властивостей. Показано можливість отримання тонких нанонеоднорідних монокристалічних бездислокаційних плівок з низьким рівнем механічних напружень, двомірною перколяційною провідністю та високою термічною чутливістю, які можуть бути використані в інфрачервоній та електронній техніці.
Ge thin films condensation in vacuum onto semiinsulating GaAs(100) substrates was investigated. The methods of atomic-force microscopy, optical spectroscopy, measurement of intrinsic mechanical stresses in film, and electronic properties were used for this investigation. It was found that it is possible to obtain thin nanoheterogeneous monocrystalline dislocation-free films with low intrinsic mechanical stresses and two-dimension percolation-type conductivity, as well as high temperature sensitivity that can be used for IR and electronics technologies.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70570 |
| citation_txt |
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках / Е.Ф. Венгер, П.М. Литвин, Л.А. Матвеева, В.Ф. Митин, В.В. Холевчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 39-44. — Бібліогр.: 123 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT vengeref polučeniesvoistvaiprimenenietonkihnanoneodnorodnyhplenokgenagaaspodložkah AT litvinpm polučeniesvoistvaiprimenenietonkihnanoneodnorodnyhplenokgenagaaspodložkah AT matveevala polučeniesvoistvaiprimenenietonkihnanoneodnorodnyhplenokgenagaaspodložkah AT mitinvf polučeniesvoistvaiprimenenietonkihnanoneodnorodnyhplenokgenagaaspodložkah AT holevčukvv polučeniesvoistvaiprimenenietonkihnanoneodnorodnyhplenokgenagaaspodložkah AT vengeref otrimannâvlastivostítazastosuvannâtonkihnanoneodnorídnihplívokgenagaaspídkladkah AT litvinpm otrimannâvlastivostítazastosuvannâtonkihnanoneodnorídnihplívokgenagaaspídkladkah AT matveevala otrimannâvlastivostítazastosuvannâtonkihnanoneodnorídnihplívokgenagaaspídkladkah AT mitinvf otrimannâvlastivostítazastosuvannâtonkihnanoneodnorídnihplívokgenagaaspídkladkah AT holevčukvv otrimannâvlastivostítazastosuvannâtonkihnanoneodnorídnihplívokgenagaaspídkladkah AT vengeref fabricationpropertiesandapplicationofgeongaasthinnanoheterogeneousfilms AT litvinpm fabricationpropertiesandapplicationofgeongaasthinnanoheterogeneousfilms AT matveevala fabricationpropertiesandapplicationofgeongaasthinnanoheterogeneousfilms AT mitinvf fabricationpropertiesandapplicationofgeongaasthinnanoheterogeneousfilms AT holevčukvv fabricationpropertiesandapplicationofgeongaasthinnanoheterogeneousfilms |
| first_indexed |
2025-12-07T13:14:54Z |
| last_indexed |
2025-12-07T13:14:54Z |
| _version_ |
1850855437796114432 |