Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2014
• Автори: Гаркавенко, А.С., Мокрицкий, В.А., Банзак, О.В., Завадский, В.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70572
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 50-55. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование. При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними...