Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование. При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70572 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 50-55. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862715707966357504 |
|---|---|
| author | Гаркавенко, А.С. Мокрицкий, В.А. Банзак, О.В. Завадский, В.А. |
| author_facet | Гаркавенко, А.С. Мокрицкий, В.А. Банзак, О.В. Завадский, В.А. |
| citation_txt | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 50-55. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование.
При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій отримано новий вид відпалу, названий авторами «іонізаційним», надано його теоретичне обгрунтування.
During irradiation of semiconductor crystals with powerful (high current) pulsed high-energy electron beams, a new type of annealing has been obtained. We could obtain new results and to find out physical nature of this phenomenon due to short and powerful bunches of electrons with high energy. Given its theoretical justification, the new annealing type has been called the "ionization annealing".
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:59:48Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70572 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:59:48Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гаркавенко, А.С. Мокрицкий, В.А. Банзак, О.В. Завадский, В.А. 2014-11-08T13:40:19Z 2014-11-08T13:40:19Z 2014 Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 50-55. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2014.4.50 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70572 535.14:621.365.826 При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование. При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій отримано новий вид відпалу, названий авторами «іонізаційним», надано його теоретичне обгрунтування. During irradiation of semiconductor crystals with powerful (high current) pulsed high-energy electron beams, a new type of annealing has been obtained. We could obtain new results and to find out physical nature of this phenomenon due to short and powerful bunches of electrons with high energy. Given its theoretical justification, the new annealing type has been called the "ionization annealing". ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки Іонізаційний відпал напівпровідникових кристалів. Частина перша: Теоретичні передумови Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one: Theoretical background Article published earlier |
| spellingShingle | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки Гаркавенко, А.С. Мокрицкий, В.А. Банзак, О.В. Завадский, В.А. Материалы электроники |
| title | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки |
| title_alt | Іонізаційний відпал напівпровідникових кристалів. Частина перша: Теоретичні передумови Ionization annealing of semiconductor crystals. Part one: Theoretical background |
| title_full | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки |
| title_fullStr | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки |
| title_full_unstemmed | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки |
| title_short | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки |
| title_sort | ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. часть первая: теоретические предпосылки |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70572 |
| work_keys_str_mv | AT garkavenkoas ionizacionnyiotžigpoluprovodnikovyhkristallovčastʹpervaâteoretičeskiepredposylki AT mokrickiiva ionizacionnyiotžigpoluprovodnikovyhkristallovčastʹpervaâteoretičeskiepredposylki AT banzakov ionizacionnyiotžigpoluprovodnikovyhkristallovčastʹpervaâteoretičeskiepredposylki AT zavadskiiva ionizacionnyiotžigpoluprovodnikovyhkristallovčastʹpervaâteoretičeskiepredposylki AT garkavenkoas íonízacíiniivídpalnapívprovídnikovihkristalívčastinaperšateoretičníperedumovi AT mokrickiiva íonízacíiniivídpalnapívprovídnikovihkristalívčastinaperšateoretičníperedumovi AT banzakov íonízacíiniivídpalnapívprovídnikovihkristalívčastinaperšateoretičníperedumovi AT zavadskiiva íonízacíiniivídpalnapívprovídnikovihkristalívčastinaperšateoretičníperedumovi AT garkavenkoas ionizationannealingofsemiconductorcrystalspartonetheoreticalbackground AT mokrickiiva ionizationannealingofsemiconductorcrystalspartonetheoreticalbackground AT banzakov ionizationannealingofsemiconductorcrystalspartonetheoreticalbackground AT zavadskiiva ionizationannealingofsemiconductorcrystalspartonetheoreticalbackground |