Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование. При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | Гаркавенко, А.С., Мокрицкий, В.А., Банзак, О.В., Завадский, В.А. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70572 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки / А.С. Гаркавенко, В.А. Мокрицкий, О.В. Банзак, В.А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 50-55. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2001)
Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2001)
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2013)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Исследование ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe₁₋x
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаева, О.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2015)
Влияние содержания серы на сцинтилляционные свойства смешанных кристаллов ZnSxSe1–x
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Трубаева, O.Г., та інші
Опубліковано: (2018)
Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2014)
Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ковалюк, Т.Т., та інші
Опубліковано: (2018)
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
за авторством: Ротнер, С.М., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ротнер, С.М., та інші
Опубліковано: (2006)
Установка для исследования микропластичности полупроводниковых кристаллов
за авторством: Надточий, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Надточий, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения
за авторством: Алиева, А.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Алиева, А.П., та інші
Опубліковано: (2016)
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
за авторством: Марьянчук, П.Д., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Марьянчук, П.Д., та інші
Опубліковано: (2014)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)
Портативный пламенно-ионизационный газоанализатор
за авторством: Рыжков, В.Ф.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Рыжков, В.Ф.
Опубліковано: (2004)
Портативный пламенно-ионизационный газоанализатор
за авторством: Ryzhkov, V. F.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ryzhkov, V. F.
Опубліковано: (2004)
Экспресс-метод контроля качества полупроводниковых диодных кристаллов
за авторством: Павлюк, С.П., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Павлюк, С.П., та інші
Опубліковано: (2004)
Экспресс-метод контроля качества полупроводниковых диодных кристаллов
за авторством: Pavljuk, S. P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Pavljuk, S. P., та інші
Опубліковано: (2004)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 1. Математические модели кинетики
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2003)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Кулинич, О.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Структура полимерных композитов на основе диоксида ванадия и их диэлектрические свойства в диапазоне радиочастот
за авторством: Колбунов, В.Р., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Колбунов, В.Р., та інші
Опубліковано: (2015)
Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O₃
за авторством: Кузенко, Д.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Кузенко, Д.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2009)
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
Электропроводность композита «полиэтилен - диоксид ванадия»
за авторством: Антонова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Антонова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Теоретические предпосылки формирования эффективного механизма управления финансовыми ресурсами региона
за авторством: Джаферова, Л. Р.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Джаферова, Л. Р.
Опубліковано: (2004)
Объективные предпосылки и теоретические основы реформирования командно-административной экономики
за авторством: Лян, Чжан, та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Лян, Чжан, та інші
Опубліковано: (2008)
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2012)
Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
за авторством: Стерхова, А.В.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Стерхова, А.В.
Опубліковано: (2002)
Обзор мирового рынка арсенида галлия
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2005)
Свойства и практическое применение нанокристаллических пленок оксида церия
за авторством: Максимчук, Н.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Максимчук, Н.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Высокоинформативный комплексный метод определения типа моторного масла
за авторством: Мамыкин, А.В., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Мамыкин, А.В., та інші
Опубліковано: (2019)
Схожі ресурси
-
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2014) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014) -
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014) -
Немессбауэровский гамма-лазер на основе прямозонных полупроводниковых соединений
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2001) -
Модифицированный фосфид галлия для лазеров и мощных светодиодов
за авторством: Гаркавенко, А.С., та інші
Опубліковано: (2001)