Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2003
• Hauptverfasser: Колежук, К.В., Комащенко, В.Н., Шереметова, Г.И., Бобренко, Ю.Н.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
• Schlagworte: Оптоэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70614
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ю.Н. Бобренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 49-50. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А²В⁶ и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с ра...