Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А²В⁶ и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с ра...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2003 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70614 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ю.Н. Бобренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 49-50. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859619673270648832 |
|---|---|
| author | Колежук, К.В. Комащенко, В.Н. Шереметова, Г.И. Бобренко, Ю.Н. |
| author_facet | Колежук, К.В. Комащенко, В.Н. Шереметова, Г.И. Бобренко, Ю.Н. |
| citation_txt | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ю.Н. Бобренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 49-50. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А²В⁶ и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с различной шириной запрещенной зоны позволяет минимизировать рекомбинационные потери и конструировать новые типы эффективных сенсоров излучения на основе широкозонных полупроводников, выращенных на узкозонной подложке.
We show that (i) some heterostructure concepts may be applied to polycrystalline objects made on the basis of lattice-mismatched II-VI compounds, and (ii) such multilayer heterostructures are promising for development of photoelectric devices. Presence of potential barriers at interfaces between semiconductors with different gap values enables one to minimize recombination losses and develop efficient new-type radiation sensors made on the basis of wide-gap semiconductors grown on a narrow-gap substrate.
|
| first_indexed | 2025-11-29T01:08:59Z |
| format | Article |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2003, ¹ 2
49
ÎÏÒÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ
Àíàëèç ãðàäóèðîâî÷íîé õàðàêòåðèñòèêè ïîêàçàë,
÷òî îòêëîíåíèÿ îò ëèíåéíîñòè â ñòîðîíó ìåíüøèõ
çíà÷åíèé ïîÿâëÿþòñÿ âáëèçè ãðàíèö äèàïàçîíà èç-
ìåðÿåìûõ äàëüíîñòåé. Òî÷íîñòü èçìåðåíèé èëè äèñ-
ïåðñèÿ óõóäøàåòñÿ íà ó÷àñòêàõ íåëèíåéíîñòè
0,3...0,5 ì è áîëåå 9,5 ì, íî íå ïðåâûøàåò 1%.
Ïðè÷èíàìè âîçíèêíîâåíèÿ íåëèíåéíûõ ó÷àñòêîâ
íà ãðàäóèðîâî÷íîé õàðàêòåðèñòèêå ÿâëÿþòñÿ êàê âíå-
øíèå óñëîâèÿ â âèäå ïåðåìåííîãî êîýôôèöèåíòà îò-
ðàæåíèÿ ïîâåðõíîñòè îáúåêòà, òàê è âíóòðåííèå íà-
âîäêè îò èçëó÷àòåëüíîãî áëîêà. Óìåíüøåíèå çíà÷å-
íèÿ äèñïåðñèè äîñòèãàëîñü óâåëè÷åíèåì ìîùíîñòè
ëîêàöèîííîãî îïòè÷åñêîãî ñèãíàëà è ñîâåðøåíñòâî-
âàíèåì ýêðàíèðîâàíèÿ óñèëèòåëÿ ìîùíîñòè â áëîêå
èçëó÷àòåëÿ.
***
Òàêèì îáðàçîì, èñïîëüçîâàíèå ïðÿìîîòñ÷åòíîãî
ôàçîâîãî ìåòîäà äëÿ èçìåðåíèÿ ìàëûõ äèñòàíöèé, ðåà-
ëèçîâàííîãî íà ñîâðåìåííîé ýëåìåíòíîé áàçå ñ ïðè-
ìåíåíèåì îðèãèíàëüíûõ ñõåìíî-êîíñòðóêòîðñêèõ ìå-
òîäîâ, ïîçâîëèëî ñîçäàòü îïòèêî-ýëåêòðîííûé äàëü-
íîìåð ñ óëó÷øåííûìè òåõíè÷åñêèìè è ìåòðîëîãè-
÷åñêèìè õàðàêòåðèñòèêàìè äëÿ ðàáîòû â äèíàìè÷åñ-
êèõ óñëîâèÿõ.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Êîñòåöêàÿ ß. Ì. Ñâåòî- è ðàäèîäàëüíîìåðû.� Ëüâîâ: Âèùà
øêîëà, 1986.
2. Ìóñüÿêîâ Ì. Ï., Ìèöåíêî È. Ä. Îïòèêî-ýëåêòðîííûå ñèñ-
òåìû áëèæíåé äàëüíîìåòðèè.� Ì.: Ðàäèî è ñâÿçü, 1991.
3. Ïðîòîïîïîâ Â. Â., Óñòèíîâ Í. Ä. Èíôðàêðàñíûå ëàçåðíûå
ëîêàöèîííûå ñèñòåìû.� Ì.: Âîåíèçäàò, 1987.
4. Çàÿâêà 2734645 À1 Ôðàíöèè. G 01 S. Ïîðòàòèâíûé ïðèáîð
ñ ëàçåðíûì äèîäîì äëÿ ïðîâåäåíèÿ òî÷íûõ èçìåðåíèé ïðè âûïîë-
íåíèè ñòðîèòåëüíûõ ðàáîò / Borre Sylvain. � 22.05.95.
5. Ëîáà÷åâ Ì. Â. Ðàäèîýëåêòðîííàÿ ãåîäåçèÿ.� Ì.: Íåäðà,
1980.
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
03.02 2003 ã.
Îïïîíåíò ê. ò. í. Â. Â. ÐÞÕÒÈÍ
(ÖÊÁ "Ðèòì", ã. ×åðíîâöû)
Ê. ô.-ì. í. Ê. Â. ÊÎËÅÆÓÊ, ä. ô.-ì. í. Â. Í. ÊÎÌÀÙÅÍÊÎ,
Ã. È. ØÅÐÅÌÅÒÎÂÀ, ê. ò. í. Þ. Í. ÁÎÁÐÅÍÊÎ
Óêðàèíà, ã. Êèåâ, Èíñòèòóò ôèçèêè ïîëóïðîâîäíèêîâ
èì. Â. Å. Ëàøêàðåâà
E-mail: komas@isp.kiev.ua
Èññëåäîâàíû òîíêîïëåíî÷íûå ãåòåðî-
ñòðóêòóðû òèïà p-Cu1,8S/n-À2Â6/n-À2Â6,
ïåðñïåêòèâíûå äëÿ êîíñòðóèðîâàíèÿ
íîâûõ òèïîâ ýôôåêòèâíûõ ñåíñîðîâ èç-
ëó÷åíèÿ.
Ñòðåìèòåëüíîå ðàçâèòèå ñîâðåìåííîé òåõíèêè òðå-
áóåò ðàñøèðåíèÿ êðóãà ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ìàòåðè-
àëîâ, ïåðñïåêòèâíûõ äëÿ ðàçðàáîòêè íîâûõ òèïîâ ïðè-
áîðîâ, â ÷àñòíîñòè, ñåíñîðîâ êîðîòêîâîëíîâîãî èç-
ëó÷åíèÿ. Ê ÷èñëó òàêèõ ìàòåðèàëîâ îòíîñÿòñÿ è øè-
ðîêîçîííûå ñîåäèíåíèÿ À2Â6. Îäíàêî ïîëó÷åíèå ãî-
ìîãåííûõ p�n-ïåðåõîäîâ íà îñíîâå ýòèõ ìàòåðèà-
ëîâ îñòàåòñÿ ïðîáëåìàòè÷íûì. Âûõîä èç ñèòóàöèè
ìîæåò áûòü ñâÿçàí ñ ñîçäàíèåì ãåòåðîñòðóêòóð (ÃÑ).
Èçâåñòíî [1], ÷òî ìîíîêðèñòàëëè÷åñêèå ÃÑ â ñèñòå-
ìå ðåøåòî÷íî-ñîãëàñîâàííûõ ñîåäèíåíèé À3Â5 íàøëè
øèðîêîå ïðèìåíåíèå ïðè êîíñòðóèðîâàíèè ïðèíöè-
ïèàëüíî íîâûõ ïðèáîðîâ ëàçåðíîé òåõíèêè, ìèêðî- è
îïòîýëåêòðîíèêè.
Ðàíåå íàìè áûëî ïîêàçàíî, ÷òî ê ïîëèêðèñòàëëè-
÷åñêèì ÃÑ íà îñíîâå ïîëóïðîâîäíèêîâ À2Â6 (ñðåäè
êîòîðûõ íåò ìàòåðèàëîâ ñ áëèçêèìè çíà÷åíèÿìè ïî-
ñòîÿííûõ ðåøåòîê) òàêæå ìîæíî ïðèìåíÿòü íåêîòî-
ðûå ãåòåðîñòðóêòóðíûå êîíöåïöèè äëÿ ïîëó÷åíèÿ ýô-
ôåêòèâíûõ ôîòîïðåîáðàçîâàòåëåé [2]. Öåëüþ íàñòîÿ-
ùåé ðàáîòû ÿâëÿåòñÿ ïîèñê ïóòåé ñîçäàíèÿ íîâûõ òè-
ïîâ ñåíñîðîâ èçëó÷åíèÿ íà îñíîâå ÃÑ-ñîåäèíåíèé
À2Â6 ñ èñïîëüçîâàíèåì ñïåöèôè÷åñêèõ îñîáåííîñ-
òåé, êîòîðûå ïðèñóùè ãåòåðîïåðåõîäàì.
Îáðàçöû äëÿ èññëåäîâàíèé ïðåäñòàâëÿëè ñîáîé
÷åòûðå òèïà ãåòåðîñòðóêòóð:
p-Cu1,8S/n-CdSe/n-CdS, p-Cu1,8S/n-CdTe/n-CdS,
p-Cu1,8S/n-CdS/n-CdSå, p-Cu1,8S/n-ZnS/n-CdSe.
Îíè áûëè ïîëó÷åíû îñàæäåíèåì ñëîåâ ñîåäèíå-
íèé À2B6 ìåòîäîì ãîðÿ÷èõ ñòåíîê ñ íåñêîëüêèìè àâ-
òîíîìíûìè èñòî÷íèêàìè. Ïðè èõ èçãîòîâëåíèè ñî-
çäàâàëèñü óñëîâèÿ äëÿ ýïèòàêñèàëüíîãî ðîñòà ñëîåâ
íà îðèåíòèðóþùèõ ïîäëîæêàõ [2, 3].  êà÷åñòâå ïîñ-
ëåäíèõ èñïîëüçîâàëèñü òåêñòóðèðîâàííûå íèçêîîì-
íûå ïîëèêðèñòàëëè÷åñêèå ïëåíêè CdS èëè CdSe òîë-
ùèíîé d~3 ìêì, îñàæäåííûå íà ìåòàëëèçèðîâàííûå
ñèòàëëîâûå ïëàñòèíû.
Íà ýòèõ ïîäëîæêàõ â åäèíîì òåõíîëîãè÷åñêîì
öèêëå, áåç íàðóøåíèÿ âàêóóìà, âûðàùèâàëèñü ôî-
òîàêòèâíûå ñëîè ÃÑ. Òîëùèíà òàêèõ âûñîêîîìíûõ,
áëèçêèõ ê ñòåõèîìåòðè÷åñêîìó ñîñòàâó, ïëåíîê À2Â6
ñîîòâåòñòâîâàëà ýôôåêòèâíîé äëèíå ïîãëîùåíèÿ âîç-
áóæäàþùåãî èçëó÷åíèÿ (d~1/k~1 ìêì, ãäå k � êî-
ýôôèöèåíò ïîãëîùåíèÿ). Äëÿ ñîãëàñîâàíèÿ ðåøå-
òîê ìåæäó îðèåíòèðóþùåé ïîäëîæêîé è ôîòî÷óâ-
ñòâèòåëüíîé ñîñòàâëÿþùåé âûðàùèâàëèñü íàíîìåò-
ðîâûå (d~30�50 íì) ïðîìåæóòî÷íûå ñëîè ìíîãî-
êîìïîíåíòíûõ òâåðäûõ ðàñòâîðîâ. Èçãîòîâëåíèå ÃÑ
çàâåðøàëîñü òåðìè÷åñêèì îñàæäåíèåì â âàêóóìå
íà ðàíåå âûðàùåííûé ôîòîàêòèâíûé ñëîé áàðüåðî-
îáðàçóþùåé ïëåíêè âûðîæäåííîãî õàëüêîãåíèäà
ìåäè (Cu1,8S) ð-òèïà ïðîâîäèìîñòè (d~30 íì).
ÌÍÎÃÎÑËÎÉÍÛÅ ÃÅÒÅÐÎÑÒÐÓÊÒÓÐÛ ÍÀ ÎÑÍÎÂÅ
ÏÎËÈÊÐÈÑÒÀËËÈ×ÅÑÊÈÕ ÏËÅÍÎÊ ÑÎÅÄÈÍÅÍÈÉ À2Â6
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2003, ¹ 2
50
ÎÏÒÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ
Àíàëèç ðåçóëüòàòîâ êîìïëåêñíûõ èññëåäîâàíèé
ìîðôîëîãè÷åñêèõ ïàðàìåòðîâ, ôàçîâîãî ñîñòàâà è
ñòðóêòóðíûõ îñîáåííîñòåé ïîêàçàë, ÷òî èçãîòîâëåí-
íûå ÃÑ áûëè äîñòàòî÷íî ñîâåðøåííûìè. Ýòî ñïî-
ñîáñòâîâàëî äîñòèæåíèþ âûñîêèõ ôîòîýëåêòðè÷åñ-
êèõ ïàðàìåòðîâ ñåíñîðîâ èçëó÷åíèÿ íà èõ îñíîâå.
 âàëåíòíîé çîíå íà ìåòàëëóðãè÷åñêèõ ãðàíèöàõ
ÃÑ èç-çà ðàçíûõ çíà÷åíèé ýíåðãèè ýëåêòðîííîãî ñðîä-
ñòâà è øèðèíû çàïðåùåííîé çîíû êîíòàêòèðóþùèõ
ìàòåðèàëîâ âîçíèêàþò ïîòåíöèàëüíûå áàðüåðû ∆Ev
(ðèñ. 1). Îêàçàëîñü, ÷òî èõ ìîæíî èñïîëüçîâàòü êàê
äëÿ ïîâûøåíèÿ ýôôåêòèâíîñòè ôîòîïðåîáðàçîâàíèÿ,
òàê è äëÿ êîíñòðóèðîâàíèÿ ñåíñîðîâ ñ çàäàííûì ñïåê-
òðàëüíûì äèàïàçîíîì ÷óâñòâèòåëüíîñòè.
Ïîëó÷åííûå ÃÑ ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé, ïî ñóòè, p+�
i�n-ñòðóêòóðó. Îñíîâíàÿ äîëÿ íîñèòåëåé çàðÿäà ãå-
íåðèðóåòñÿ ñâåòîì íåïîñðåäñòâåííî â îáëàñòè ïîòåí-
öèàëüíîãî áàðüåðà (ôîòîàêòèâíûé i-ñëîé À2Â6), ãäå
äåéñòâóåò ñèëüíîå ýëåêòðîñòàòè÷åñêîå ïîëå. Ïîãëî-
ùåíèå òîíêîãî p+-ñëîÿ â âèäèìîì äèàïàçîíå ñïåêòðà
ñîñòàâëÿåò <10% (ñóëüôèä ìåäè ÿâëÿåòñÿ íåïðÿìî-
çîííûì ïîëóïðîâîäíèêîì). Â ãåòåðîñòðóêòóðàõ
p-Cu1,8S/n-CdSe/n-CdS è p-Cu1,8S/n-CdTe/n-CdS ôî-
òîãåíåðàöèÿ â ñëîå ñóëüôèäà êàäìèÿ ïðàêòè÷åñêè îò-
ñóòñòâóåò âñëåäñòâèå áîëüøîé øèðèíû çàïðåùåííîé
çîíû ýòîé ñîñòàâëÿþùåé (îñâåùåíèå îñóùåñòâëÿåò-
ñÿ ñî ñòîðîíû ñóëüôèäà ìåäè). Ìîæíî îæèäàòü, ÷òî
è ðåêîìáèíàöèîííûå ïîòåðè íîñèòåëåé çàðÿäà â ñóëü-
ôèäå êàäìèÿ íåâåëèêè. Êðîìå òîãî, áàðüåðû ∆Ev
(ðèñ. 1, äèàãðàììû à è á) ïðåïÿòñòâóþò ïðîõîæäå-
íèþ äûðîê, êîòîðûå ãåíåðèðîâàíû â ôîòî÷óâñòâè-
òåëüíîì ñëîå ÃÑ, â îáëàñòè èõ âîçìîæíîé ðåêîìáè-
íàöèè [4, ñ. 24].
Íà ðèñ. 2 ïðåäñòàâëåíû ñïåêòðàëüíûå õàðàêòåðè-
ñòèêè èçãîòîâëåííûõ ïðèáîðîâ. Çäåñü ïî îñè îðäè-
íàò îòëîæåíà âíåøíÿÿ êâàíòîâàÿ ýôôåêòèâíîñòü η.
Îòìåòèì âûñîêóþ ÷óâñòâèòåëüíîñòü ñåíñîðîâ èçëó-
÷åíèÿ. Òàê, êâàíòîâàÿ ýôôåêòèâíîñòü äëÿ ãåòåðî-
ñòðóêòóð p-Cu1,8S/n-CdSe/n-CdS è p-Cu1,8S/n-CdTe/
n-CdS (êðèâûå 1 è 2) áëèçêà ê ïðåäåëüíîé (η~0,9).
Ñòðóêòóðû p-Cu1,8S/n-CdS/n-CdSe è p-Cu1,8S/
n-ZnS/n-CdSe ïðåäñòàâëÿþò ñîáîé, â ïðèíöèïå, ãåòå-
ðîïåðåõîäû ñ øèðîêîçîííûì îïòè÷åñêèì "îêíîì"
(èçëó÷åíèå ïàäàåò ñî ñòîðîíû øèðîêîçîííîé êîìïî-
íåíòû). Ïîýòîìó ìîæíî îæèäàòü ñóùåñòâåííîãî âêëà-
äà ñåëåíèäà êàäìèÿ â îáùèé ôîòîòîê. Îäíàêî îêàçà-
ëîñü, ÷òî ÷óâñòâèòåëüíîñòü ÃÑ â îáëàñòè ñîáñòâåí-
íîãî ïîãëîùåíèÿ CdSå ïðàêòè÷åñêè îòñóòñòâóåò (êðè-
âûå 3, 4). Íà íàø âçãëÿä, òàêîé âèä ñïåêòðàëüíûõ
õàðàêòåðèñòèê îáóñëîâëåí ñëåäóþùèì. Â óêàçàííûõ
ÃÑ äîïîëíèòåëüíûå ïîòåíöèàëüíûå áàðüåðû â âàëåíò-
íîé çîíå (∆Ev>0,6 ýÂ) ãåòåðîïåðåõîäîâ n-CdS/n-CdSe
è n-ZnS/n-CdSe (ðèñ. 1, äèàãðàììû â è ã) áëîêèðóþò
ïåðåíîñ íåîñíîâíûõ íîñèòåëåé, ãåíåðèðîâàííûõ ñâå-
òîì â óçêîçîííîì ñåëåíèäå êàäìèÿ, â øèðîêîçîííóþ
÷àñòü ãåòåðîñòðóêòóðû (CdS è ZnS).
***
Òàêèì îáðàçîì, èñïîëüçîâàíèå ýïèòàêñèàëüíîé
òåõíîëîãèè âûðàùèâàíèÿ è ïîòåíöèàëüíûõ áàðüåðîâ
íà ãðàíèöå ïîëóïðîâîäíèêîâ ñ ðàçëè÷íîé øèðèíîé
çàïðåùåííîé çîíû îòêðûâàåò íîâûå âîçìîæíîñòè äëÿ
ðàçðàáîòêè ôîòîýëåêòðè÷åñêèõ ïðèáîðîâ â ðåøåòî÷-
íî-íåñîãëàñîâàííûõ ñèñòåìàõ À2Â6. Âñòðàèâàíèå
øèðîêîçîííîãî ïîëóïðîâîäíèêà íà òûëüíîé ïîâåðõ-
íîñòè ÃÑ ñïîñîáñòâóåò ìèíèìèçàöèè ðåêîìáèíàöè-
îííûõ ïîòåðü íîñèòåëåé çàðÿäà â îáúåìå ôîòîàêòèâ-
íîãî ñëîÿ è â îáëàñòè òûëüíîãî êîíòàêòà.
Ñîçäàíèå â ÃÑ äîïîëíèòåëüíûõ n�n-ãåòåðîïåðå-
õîäîâ ïîçâîëÿåò òàêæå êîíñòðóèðîâàòü íîâûå òèïû
ýôôåêòèâíûõ ñåíñîðîâ èçëó÷åíèÿ íà îñíîâå øèðî-
êîçîííûõ ïîëóïðîâîäíèêîâ, âûðàùåííûõ íà áóôåð-
íîé ïîäëîæêå áîëåå óçêîçîííîãî ìàòåðèàëà.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Àëôåðîâ Æ. È. Äâîéíûå ãåòåðîñòðóêòóðû: êîíöåïöèÿ è
ïðèìåíåíèå â ôèçèêå, ýëåêòðîíèêå è òåõíîëîãèè // ÓÔÍ.� 2002.�
Ò. 172, ¹ 9.� Ñ. 1068�1086.
2. Êîìàùåíêî À. Â., Êîëåæóê Ê. Â., Ãîðáèê Ï. Ï. è äð. Âûñîêî-
ýôôåêòèâíûå ôîòîïðåîáðàçîâàòåëè íà îñíîâå ïîëèêðèñòàëëè÷åñ-
êèõ ãåòåðîñòðóêòóð ñîåäèíåíèé ÀIIBVI // Ïèñüìà â ÆÒÔ.�
2000.� Ò. 26, âûï. 5.� Ñ. 1�6.
3. Âåíãåð Å. Ô., Êîëåæóê Ê. Â., Êîìàùåíêî Â. Í. è äð. ÓÔ-
ñåíñîð, "ñëåïîé" ê âèäèìîìó ñâåòó // Äîïîâ. ÍÀÍ Óêðà¿íè.�
2002.� ¹ 2.� Ñ. 82�86.
4. Êîóòñ Ò., Ìèêèí Äæ. Ñîâðåìåííûå ïðîáëåìû ïîëóïðîâîä-
íèêîâîé ôîòîýíåðãåòèêè � Ì.: Ìèð, 1988.
Ðèñ. 1. Ñõåìàòè÷åñêèå çîííûå äèàãðàììû n�n-ãåòåðî-
ïåðåõîäîâ:
à � n-CdSe/n-CdS; á � n-CdTe/n-CdS; â � n-CdS/n-CdSe; ã �
n-ZnS/n-CdSe
∆Eñ
∆Ev
∆Ev ∆Ev ∆Ev
∆Eñ
∆Eñà) á) â)
ã)
ÑdSe CdS CdTe CdS CdS CdSe ZnS CdSe
Ðèñ. 2. Ñïåêòðàëüíàÿ çàâèñèìîñòü êâàíòîâîé ýôôåêòèâ-
íîñòè ñåíñîðîâ èçëó÷åíèÿ íà îñíîâå ãåòåðîñòðóêòóð:
1 � p-Cu1,8S/n-CdTe/n-CdS; 2 � p-Cu1,8S/n-CdSe/n-CdS;
3 � p-Cu1,8S/n-CdS/n-CdSe; 4 � p-Cu1,8S/n-ZnS/n-CdSe
4
η
0,8
0,6
0,4
0,2
0
200 300 400 500 600 700 800 900 λ, íì
1
2
3
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70614 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-29T01:08:59Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Колежук, К.В. Комащенко, В.Н. Шереметова, Г.И. Бобренко, Ю.Н. 2014-11-09T07:37:55Z 2014-11-09T07:37:55Z 2003 Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ю.Н. Бобренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 49-50. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70614 Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А²В⁶ и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с различной шириной запрещенной зоны позволяет минимизировать рекомбинационные потери и конструировать новые типы эффективных сенсоров излучения на основе широкозонных полупроводников, выращенных на узкозонной подложке. We show that (i) some heterostructure concepts may be applied to polycrystalline objects made on the basis of lattice-mismatched II-VI compounds, and (ii) such multilayer heterostructures are promising for development of photoelectric devices. Presence of potential barriers at interfaces between semiconductors with different gap values enables one to minimize recombination losses and develop efficient new-type radiation sensors made on the basis of wide-gap semiconductors grown on a narrow-gap substrate. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Оптоэлектроника Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ Multilayer heterostructures made on the basis of II-VI polycrystaline films Article published earlier |
| spellingShingle | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ Колежук, К.В. Комащенко, В.Н. Шереметова, Г.И. Бобренко, Ю.Н. Оптоэлектроника |
| title | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ |
| title_alt | Multilayer heterostructures made on the basis of II-VI polycrystaline films |
| title_full | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ |
| title_fullStr | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ |
| title_full_unstemmed | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ |
| title_short | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ |
| title_sort | многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений а²в⁶ |
| topic | Оптоэлектроника |
| topic_facet | Оптоэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70614 |
| work_keys_str_mv | AT koležukkv mnogosloinyegeterostrukturynaosnovepolikristalličeskihplenoksoedineniia2v6 AT komaŝenkovn mnogosloinyegeterostrukturynaosnovepolikristalličeskihplenoksoedineniia2v6 AT šeremetovagi mnogosloinyegeterostrukturynaosnovepolikristalličeskihplenoksoedineniia2v6 AT bobrenkoûn mnogosloinyegeterostrukturynaosnovepolikristalličeskihplenoksoedineniia2v6 AT koležukkv multilayerheterostructuresmadeonthebasisofiivipolycrystalinefilms AT komaŝenkovn multilayerheterostructuresmadeonthebasisofiivipolycrystalinefilms AT šeremetovagi multilayerheterostructuresmadeonthebasisofiivipolycrystalinefilms AT bobrenkoûn multilayerheterostructuresmadeonthebasisofiivipolycrystalinefilms |