Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А²В⁶ и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с ра...
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2003 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70614 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ю.Н. Бобренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 49-50. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862611385953812480 |
|---|---|
| author | Колежук, К.В. Комащенко, В.Н. Шереметова, Г.И. Бобренко, Ю.Н. |
| author_facet | Колежук, К.В. Комащенко, В.Н. Шереметова, Г.И. Бобренко, Ю.Н. |
| citation_txt | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ю.Н. Бобренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 49-50. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А²В⁶ и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с различной шириной запрещенной зоны позволяет минимизировать рекомбинационные потери и конструировать новые типы эффективных сенсоров излучения на основе широкозонных полупроводников, выращенных на узкозонной подложке.
We show that (i) some heterostructure concepts may be applied to polycrystalline objects made on the basis of lattice-mismatched II-VI compounds, and (ii) such multilayer heterostructures are promising for development of photoelectric devices. Presence of potential barriers at interfaces between semiconductors with different gap values enables one to minimize recombination losses and develop efficient new-type radiation sensors made on the basis of wide-gap semiconductors grown on a narrow-gap substrate.
|
| first_indexed | 2025-11-29T01:08:59Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-70614 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-29T01:08:59Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Колежук, К.В. Комащенко, В.Н. Шереметова, Г.И. Бобренко, Ю.Н. 2014-11-09T07:37:55Z 2014-11-09T07:37:55Z 2003 Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ю.Н. Бобренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 49-50. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70614 Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А²В⁶ и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с различной шириной запрещенной зоны позволяет минимизировать рекомбинационные потери и конструировать новые типы эффективных сенсоров излучения на основе широкозонных полупроводников, выращенных на узкозонной подложке. We show that (i) some heterostructure concepts may be applied to polycrystalline objects made on the basis of lattice-mismatched II-VI compounds, and (ii) such multilayer heterostructures are promising for development of photoelectric devices. Presence of potential barriers at interfaces between semiconductors with different gap values enables one to minimize recombination losses and develop efficient new-type radiation sensors made on the basis of wide-gap semiconductors grown on a narrow-gap substrate. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Оптоэлектроника Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ Multilayer heterostructures made on the basis of II-VI polycrystaline films Article published earlier |
| spellingShingle | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ Колежук, К.В. Комащенко, В.Н. Шереметова, Г.И. Бобренко, Ю.Н. Оптоэлектроника |
| title | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ |
| title_alt | Multilayer heterostructures made on the basis of II-VI polycrystaline films |
| title_full | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ |
| title_fullStr | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ |
| title_full_unstemmed | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ |
| title_short | Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ |
| title_sort | многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений а²в⁶ |
| topic | Оптоэлектроника |
| topic_facet | Оптоэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70614 |
| work_keys_str_mv | AT koležukkv mnogosloinyegeterostrukturynaosnovepolikristalličeskihplenoksoedineniia2v6 AT komaŝenkovn mnogosloinyegeterostrukturynaosnovepolikristalličeskihplenoksoedineniia2v6 AT šeremetovagi mnogosloinyegeterostrukturynaosnovepolikristalličeskihplenoksoedineniia2v6 AT bobrenkoûn mnogosloinyegeterostrukturynaosnovepolikristalličeskihplenoksoedineniia2v6 AT koležukkv multilayerheterostructuresmadeonthebasisofiivipolycrystalinefilms AT komaŝenkovn multilayerheterostructuresmadeonthebasisofiivipolycrystalinefilms AT šeremetovagi multilayerheterostructuresmadeonthebasisofiivipolycrystalinefilms AT bobrenkoûn multilayerheterostructuresmadeonthebasisofiivipolycrystalinefilms |