Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶

Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А²В⁶ и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с ра...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2003
Main Authors: Колежук, К.В., Комащенко, В.Н., Шереметова, Г.И., Бобренко, Ю.Н.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2003
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70614
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ю.Н. Бобренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 49-50. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine